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龙图腾网恭喜西安龙飞电气技术有限公司申请的专利浮空P环岛的双沟槽SiC MOSFET器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342870B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411864361.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权浮空P环岛的双沟槽SiC MOSFET器件及制备方法是由郑丽君;曹琳;刘青;温建功设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本浮空P环岛的双沟槽SiC MOSFET器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种浮空P环岛的双沟槽SiCMOSFET器件及制备方法，包括：第一外延层，包括多个间隔排布的浮空P型环岛结构，浮空P型环岛结构位于第一外延层的第一侧；第二外延层，与第一外延层的第一侧层叠设置，第二外延层包括栅极沟槽，栅极沟槽位于第二外延层背离第一外延层的一侧，栅极沟槽内设置有栅氧化层和栅极；第二外延层还包括多个间隔排布的P+型环结构，沿第一方向，P+型环结构的正投影与栅极沟槽的正投影交叠，P+型环结构的正投影与至少部分浮空P型环岛结构的正投影交叠。本发明不仅能够降低器件的导通电阻，还能提高器件的击穿电压。

本发明授权浮空P环岛的双沟槽SiC MOSFET器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种浮空P环岛的双沟槽SiCMOSFET器件，其特征在于，包括：第一外延层，包括多个间隔排布的浮空P型环岛结构，所述浮空P型环岛结构位于所述第一外延层的第一侧，且排布在整层所述第一外延层中；第二外延层，与所述第一外延层的第一侧层叠设置，所述第二外延层包括栅极沟槽，所述栅极沟槽位于所述第二外延层背离所述第一外延层的一侧，所述栅极沟槽内设置有栅氧化层和栅极；所述第二外延层还包括多个间隔排布的P+型环结构，沿第一方向，所述P+型环结构的正投影与所述栅极沟槽的正投影交叠，所述P+型环结构的正投影与至少部分所述浮空P型环岛结构的正投影交叠；沿第二方向，由所述第二外延层的两侧指向所述第二外延层的中间的方向，相邻所述P+型环结构之间的距离逐渐增大，各个所述P+型环结构的宽度尺寸逐渐减小；所述第二外延层还包括多个P+型区域，多个所述P+型区域分别位于所述栅极沟槽沿第二方向的两侧，且位于所述第二外延层中的P型体区内，所述P+型环结构与多个所述P+型区域同时制备；其中，所述第一方向为所述第一外延层厚度方向。

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