恭喜杭州广立微电子股份有限公司陈海平获国家专利权
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龙图腾网恭喜杭州广立微电子股份有限公司申请的专利半导体栅极侧墙厚度测试方法、结构、装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119297105B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411795950.8，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权半导体栅极侧墙厚度测试方法、结构、装置及存储介质是由陈海平设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体栅极侧墙厚度测试方法、结构、装置及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供的一种半导体栅极侧墙厚度测试方法，包括：测量不同栅极间距下的栅极间的有源区电阻值，依据多个所述有源区电阻值，建立有源区电阻值和栅极间距的数据关系，基于所述数据关系计算得到栅极侧墙厚度；测量至少两个栅极宽度不同，但栅极长度相同的栅极电阻值，基于所述栅极电阻值和所述栅极宽度，计算得到栅极偏差；利用所述栅极偏差矫正所述栅极侧墙厚度，得到实际的栅极侧墙厚度。该技术方案的有益效果在于，利用电性测试方法，解决只有在栅极工艺站点对栅极侧墙厚度检测的缺点，能够更加高效的对栅极侧墙厚度进行检测。本发明还提供了一种半导体栅极侧墙厚度测试结构、装置以及计算机可读存储介质，能够实现栅极侧墙厚度的快速检测。
本发明授权半导体栅极侧墙厚度测试方法、结构、装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体栅极侧墙厚度测试方法，其特征在于，包括：测量不同栅极间距下的栅极间的有源区电阻值，依据多个所述有源区电阻值，建立有源区电阻值和栅极间距的数据关系，基于所述数据关系计算得到栅极侧墙厚度；包括：基于测量得到的多组不同栅极间距下的栅极间的有源区电阻值，绘制二维散点图；对所述二维散点图中的多个点进行线性拟合，基于拟合后的直线得到栅极侧墙厚度；测量至少两个栅极宽度不同，但栅极长度相同的栅极电阻值，基于所述栅极电阻值和所述栅极宽度，计算得到栅极偏差；利用所述栅极偏差矫正所述栅极侧墙厚度，得到实际的栅极侧墙厚度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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