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龙图腾网恭喜南京大学申请的专利基于电荷俘获编程方法的原位存储NVSRAM单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119252301B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411782774.4，技术领域涉及：G11C11/417；该发明授权基于电荷俘获编程方法的原位存储NVSRAM单元是由杜力;蒋安颖;林烨;杜源设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于电荷俘获编程方法的原位存储NVSRAM单元在说明书摘要公布了：本申请涉及存储器领域，提供一种基于电荷俘获编程方法的原位存储NVSRAM单元，SRAM存储单元包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管；第一PMOS晶体管的栅极接第一NMOS晶体管的源极；第二PMOS晶体管的栅极接第二NMOS晶体管的源极；第一NMOS晶体管的漏极通过第三NMOS晶体管接第一位线；第二NMOS晶体管的漏极通过第四NMOS晶体管接第二位线；第一PMOS晶体管的漏极接第一非易失性晶体管的源极；第二PMOS晶体管的漏极接第二非易失性晶体管的源极，解决非易失性存储器与CMOS节点及操作电压不兼容的问题。

本发明授权基于电荷俘获编程方法的原位存储NVSRAM单元在权利要求书中公布了：1.一种基于电荷俘获编程方法的原位存储NVSRAM单元，其特征在于，包括：SRAM存储单元、第一非易失性晶体管以及第二非易失性晶体管；所述第一非易失性晶体管和所述第二非易失性晶体管均为栅极由高K介质构成的NMOS晶体管；所述SRAM存储单元包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管以及第四NMOS晶体管；所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的源极与编程源正极相连接；所述第一PMOS晶体管的栅极连接至所述第一NMOS晶体管的源极；所述第二PMOS晶体管的栅极连接至所述第二NMOS晶体管的源极；所述第一NMOS晶体管的漏极通过所述第三NMOS晶体管连接至第一位线；所述第二NMOS晶体管的漏极通过所述第四NMOS晶体管连接至第二位线；所述第一PMOS晶体管的漏极连接所述第一非易失性晶体管的源极；所述第二PMOS晶体管的漏极连接所述第二非易失性晶体管的源极；所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的栅极连接使能端口；所述第一非易失性晶体管和所述第二非易失性晶体管的漏极与编程源负极相连接；所述SRAM存储单元用于存储易失性数据；所述第一非易失性晶体管和所述第二非易失性晶体管用于存储非易失性数据。

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