恭喜安徽大学;合肥晶合集成电路股份有限公司高瑛丁雄获国家专利权
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龙图腾网恭喜安徽大学;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利硅化物连接层的形成方法及半导体器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119297082B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411790054.2,技术领域涉及:H01L21/285;该发明授权硅化物连接层的形成方法及半导体器件是由高瑛丁雄;张新设计研发完成,并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅化物连接层的形成方法及半导体器件在说明书摘要公布了:本申请公开了硅化物连接层的形成方法及半导体器件,该形成方法包括:提供一半导体结构,半导体结构的材质包括硅;在半导体结构上形成保护层并在保护层上形成金属层;执行退火工艺,以使金属层中的金属粒子穿过保护层与半导体结构中的硅反应而形成中间层;在保护层保护中间层的情况下将金属层的剩余部分去除;再次执行退火工艺以使中间层与半导体结构中的硅继续反应而形成硅化物连接层,并且去除保护层。本申请在去除金属层的剩余部分的过程中中间层因保护层的保护不受损失,有利于提高半导体器件的性能。
本发明授权硅化物连接层的形成方法及半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种硅化物连接层的形成方法,包括:提供一半导体结构,所述半导体结构的材质包括硅;在所述半导体结构上形成保护层并在所述保护层上形成金属层;执行退火工艺,以使所述金属层中的金属粒子穿过所述保护层与所述半导体结构中的硅反应而形成中间层;在所述保护层保护所述中间层的情况下将所述金属层的剩余部分去除;再次执行退火工艺以使所述中间层与所述半导体结构中的硅继续反应而形成硅化物连接层,并且去除所述保护层;其中,所述金属层的材质为镍,所述保护层的材质为硅酸铪或二氧化铪,所述保护层在所述硅化物连接层形成后去除。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人安徽大学;合肥晶合集成电路股份有限公司,其通讯地址为:230601 安徽省合肥市蜀山区九龙路111号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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