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龙图腾网恭喜江苏润石科技有限公司申请的专利一种自适应衬底电位产生电路及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119030504B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411507374.2，技术领域涉及：H03K3/02；该发明授权一种自适应衬底电位产生电路及其应用是由李肖飞;丁宝春;漆星宇设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自适应衬底电位产生电路及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自适应衬底电位产生电路及其应用，包括用于检测外部对管工作状态的状态检测电路、用于自适应为外部对管提供衬底偏置电位的输出电位控制电路、用于为状态检测电路和输出电位控制电路供电的电流镜电路以及与外部连接的五个端口。通过使用状态检测电路检测外部输入PMOS对管的漏极电位及源极共模电位，通过拉偏电阻R1控制状态检测电路输出高电平的精确触发阈值；输出电位控制电路使用运放控制流经MP7管电流，使用拉偏电阻R2控制外部PMOS对管的衬底偏置电位。本发明能够自动检测输入对管的工作状态，自适应调节对管衬底电位，相较于传统方式，降低了电路的最低工作电压，扩大了电路输入共模范围。

本发明授权一种自适应衬底电位产生电路及其应用在权利要求书中公布了：1.一种自适应衬底电位产生电路，其特征在于，包括：用于检测外部对管工作状态的状态检测电路、用于自适应为外部对管提供衬底偏置电位的输出电位控制电路、用于为所述状态检测电路和所述输出电位控制电路供电的电流镜电路以及与外部连接的Vsense1、Vsense2、Vsense3、Vbulk、VDD、GND和IB七个端口；Vsense1端口用于检测输入外部对管的共模信号的变化，Vsense2和Vsense3端口用于采集外部对管的漏极电位，Vbulk端口用于为外部对管提供衬底偏置电位，IB端口用于为所述电流镜电路供电；所述状态检测电路包括第一至第三PMOS管、第九PMOS管、第一至第二NMOS管以及第一拉偏电阻；第一PMOS管的栅极连接Vsense2端口，第二PMOS管的栅极连接Vsense3端口，第一PMOS管和第二PMOS管的源极并联后连接到第一拉偏电阻的一端，第一PMOS管和第二PMOS管的漏极并联后连接到第一NMOS管的漏极，第一PMOS管的衬底和源极相接，第二PMOS管的衬底和源极相接；第一NMOS管的栅极与第二NMOS管的栅极连接，第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极接GND端口，第一NMOS管的栅极和漏极相接；第二NMOS管的漏极和第三PMOS管的漏极相连后作为所述状态检测电路的输出，连接到所述输出电位控制电路；第三PMOS管的栅极接Vsense1端口，第三PMOS管的衬底和源极相接，第三PMOS管的源极和第一拉偏电阻的另一端分别连接第九PMOS管的漏极，第九PMOS管为所述状态检测电路的电流镜，为其提供恒定电流；所述输出电位控制电路包括第三至第五NMOS管、第八NMOS管、第四至第八PMOS管、第二拉偏电阻以及补偿电容，其中，第四PMOS管、第五PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管构成第一级运放，第五NMOS管和第六PMOS管构成第二级运放，第七PMOS管构成第三级运放；第一级运放中，第四PMOS管的栅极连接所述状态检测电路的输出，第五PMOS管的栅极接Vsense1端口，第四PMOS管的源极与第五PMOS管的源极并联后连接到第八PMOS管的漏极；第三NMOS管和第四NMOS管构成第一级运放的负载管，第五PMOS管的漏极与第四NMOS管的漏极相连后接到补偿电容的一端，第四PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极连接，第三NMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极连接，第三NMOS管的栅极与漏极相接，第三NMOS管的源极与第四NMOS管的源极接GND端口；第二级运放中，第五NMOS管的栅极连接补偿电容的一端，源极与第八NMOS管的漏极连接，漏极与第六PMOS管的漏极连接；第六PMOS管的漏极与栅极相接；第八NMOS管的栅极连接IB端口；第三级运放中，第七PMOS管的栅极连接第六PMOS管的栅极，漏极连接第二拉偏电阻的一端；第二拉偏电阻的另一端与Vsense1端口和第五PMOS管的栅极连接，第七PMOS管的漏极连接Vbulk端口；第七PMOS管的源极、第六PMOS管的源极、第八PMOS管的源极和第九PMOS管的源极均接VDD端口，第八PMOS管的栅极与第九PMOS管的栅极连接；所述电流镜电路包括第六至第七NMOS管以及第十PMOS管；第七NMOS管的漏极连接IB端口，第七NMOS管的栅极与第六NMOS管的栅极连接，第七NMOS管的源极、第六NMOS管的源极和第八NMOS管的源极接GND端口，第六NMOS管的漏极与第十PMOS管的漏极连接，第十PMOS管的源极接VDD端口，第十PMOS管的栅极与第九PMOS管的栅极、第八PMOS管的栅极连接，第十PMOS管的栅极与漏极相接。

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