恭喜武汉纺织大学吴奇获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉纺织大学申请的专利半有机晶体N2H4Zn(HC3N3O3)及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119039326B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411078891.2，技术领域涉及：C07F3/06；该发明授权半有机晶体N2H4Zn(HC3N3O3)及其制备方法和应用是由吴奇;杨灿;康雨薇设计研发完成，并于2024-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半有机晶体N2H4Zn(HC3N3O3)及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及半有机晶体N2H4ZnHC3N3O3及其制备方法和应用，属于非线性光学材料领域。半有机晶体N2H4ZnHC3N3O3属于单斜晶系，空间群为Cc，具有非中心对称结构，其具有强的二次谐波13倍KDP、超长的室温磷光寿命448ms、较高的热稳定性和强的耐水性，此外，该半有机晶体显示出可调谐的多色室温磷光，并伴有1.2s的肉眼可见的持久余辉，在光学计算、光学开关、远距离通信、信息加密防伪、生物成像、照明、长余辉器件任一领域具有良好的应用前景，特别适合用于制作非线性光学器件。
本发明授权半有机晶体N2H4Zn(HC3N3O3)及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种半有机晶体材料，其特征在于：半有机晶体的化学式为N2H4ZnHC3N3O3，其中，HC3N3O3代表氰尿酸2-；所述半有机晶体属于单斜晶系，空间群为Cc；所述半有机晶体的晶胞参数为：a=9.46965Å，b=9.41044Å，c=7.99444Å，α=90°，β=113.3332°，γ=90°，晶胞体积V=645.463Å3；从c轴方向看，所述半有机晶体具有以Zn为中心的四面体结构；所述半有机晶体具有两条[ZnN2H4]2+∞）无限链和两条[Zn2+HC3N3O32-]∞无限链，从c轴方向看，两条[ZnN2H4]2+∞）无限链和两条[Zn2+HC3N3O32-]∞无限链连成类金刚石拓扑三维结构。
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