恭喜西南大学张婷婷获国家专利权
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龙图腾网恭喜西南大学申请的专利一种二维白磷薄膜、制备方法、应用及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118877845B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410915375.4，技术领域涉及：C01B25/027；该发明授权一种二维白磷薄膜、制备方法、应用及装置是由张婷婷;王俊忠设计研发完成，并于2024-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维白磷薄膜、制备方法、应用及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种二维白磷薄膜的制备方法、应用及装置。二维白磷薄膜的制备方法，包括以下步骤：采用硅片制备硅衬底；在真空条件下，给镉源除气，然后加热使镉原子蒸发至硅衬底表面，镉原子外延生长，获得镉衬底；在真空条件下，给黑磷除气，然后加热至第一温度以获得P4分子束流，再将其蒸发至第二温度的镉衬底表面，获得由P4分子二聚体平行排列构成的单层二维白磷薄膜。本发明还提供一种所述制备方法制得的单层二维白磷薄膜。本发明还提供一种所述制备方法制得的单层二维白磷薄膜的应用，所述二维白磷薄膜作为纳米墨水的应用。本发明还提供一种用于制备如本发明所述的二维白磷薄膜的装置。本发明制备了一种具有特定结构和性能的二维白磷薄膜。
本发明授权一种二维白磷薄膜、制备方法、应用及装置在权利要求书中公布了：1.一种二维白磷薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、硅111-7×7衬底的制备：采用硅片制备获得硅111-7×7衬底；S2、镉0001衬底的制备：在真空条件下，给镉源除气，然后加热镉源，使镉原子蒸发至硅111-7×7衬底的表面，镉原子外延生长，获得镉0001衬底；S3、二维白磷薄膜的制备：在真空条件下，给黑磷除气，然后加热至第一温度，获得P4分子束流，再将其蒸发至第二温度的镉0001衬底表面，获得由P4分子二聚体平行排列构成的单层二维白磷薄膜。
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