扬州扬杰电子科技股份有限公司王正获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利降低导通损耗SiC器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222706893U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421476063.X，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型降低导通损耗SiC器件是由王正;杨程;裘俊庆;王毅设计研发完成，并于2024-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本降低导通损耗SiC器件在说明书摘要公布了：降低导通损耗SiC器件，涉及半导体技术领域。隔离介质层覆盖在门极Poly层的顶面，并向下延伸与N+区连接；碳化硅Drift层顶面的中部设有源级Poly层，源级Poly层的侧部设有与之间隔设置并与隔离介质层连接的欧姆接触合金层；源级Poly层和欧姆接触合金层之间设有向上延伸的氧化物介质层。欧姆接触合金层底部与碳化硅Drift层中的N+区和P+区接触，将P‑base区、N+区和P+区同电位，提高器件耐压能力。
本实用新型降低导通损耗SiC器件在权利要求书中公布了：1.降低导通损耗SiC器件，其特征在于，包括从下而上依次设置的：碳化硅Sub层（1）；碳化硅Drift层（2），顶面设有向下延伸的P-base区（3）；所述P-base区（3）的顶面设有向下延伸的N+区（4）和P+区（5）；所述N+区（4）与P+区（5）连接；所述N+区（4）的底面和P+区（5）的底面分别与P-base区（3）的底面设有间距；栅氧化层（6），设置在所述碳化硅Drift层（2）的顶面，从器件边缘向中心方向延伸，并分别与所述P-base区（3）和N+区（4）连接；门极Poly层（7），设置在所述栅氧化层（6）的顶面；隔离介质层（8），覆盖在所述门极Poly层（7）的顶面，并向下延伸与所述N+区（4）连接；所述碳化硅Drift层（2）顶面的中部设有源级Poly层（9），所述源级Poly层（9）的侧部设有与之间隔设置并与隔离介质层（8）连接的欧姆接触合金层（10）；所述源级Poly层（9）和欧姆接触合金层（10）之间设有向上延伸的氧化物介质层（11）；正面电极金属层（12），覆盖在所述隔离介质层（8）、欧姆接触合金层（10）、氧化物介质层（11）和源级Poly层（9）上。
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