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龙图腾网获悉中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)申请的专利一种碳化硅二极管芯片结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222706889U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420912494.X，技术领域涉及：H10D8/00；该实用新型一种碳化硅二极管芯片结构是由王海锐;陆超;程爽;袁强;王博;吴登昊;王智;张浩宇;贺晓金;姚秋原设计研发完成，并于2024-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅二极管芯片结构在说明书摘要公布了：一种碳化硅二极管芯片结构，属于半导体二极管芯片技术领域。包括：N型碳化硅衬底，N型外延层，P型场限环区掺杂区，掺氧多晶硅保护层，硼磷硅玻璃保护层，氮化硅保护层，聚酰亚胺保护层，N型外延层P+型掺杂区，N型外延层表面铝硅化合物合金层，N电极层，P电极层。复合钝化层结构从内层到外层依次为：掺氧多晶硅钝化层、硼磷硅玻璃钝化层、氮化硅钝化层、聚酰亚胺钝化层。在N型碳化硅衬底上形成N型外延层，在N型外延层的中部区域形成P+型掺杂区，在P+型掺杂区的外围区域形成P型场限环区掺杂区。解决现有碳化硅二极管器件在高耐压下场限环区域易发生烧蚀导致器件失效的问题。广泛应用于碳化硅二极管及其他高压器件钝化层技术领域。

本实用新型一种碳化硅二极管芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅二极管芯片结构，其特征在于，包括：N型碳化硅衬底（2），N型外延层（3），P型场限环区掺杂区（4），掺氧多晶硅（SIPOS）保护层（5），硼磷硅玻璃（BPSG）保护层（6），氮化硅（SiN）保护层（7），聚酰亚胺（PI）保护层（8），N型外延层P+型掺杂区（9），N型外延层表面铝硅化合物合金层（10），N电极层（1），P电极层（11）；所述N型碳化硅衬底（2）的正面为N型外延层（3）；在N型外延层（3）的中部区域形成P+型掺杂区（9），所述P+型掺杂区（9）由外围环形区和内部条形区组成，内部条形区至少2条，每条内部条形区的两端分别与外围环形区连通，形成元胞区；在N型外延层（3）的P+型掺杂区（9）的外围区域形成P型场限环区掺杂区（4），所述P型场限环区掺杂区（4）环绕P+型掺杂区（9），P型场限环区掺杂区（4）至少2个场限环，形成场限环区；所述P+型掺杂区（9）开口区域的上面为掺氧多晶硅（SIPOS）保护层（5），所述掺氧多晶硅（SIPOS）保护层（5）覆盖相邻第一个P+型掺杂区（9）的部分区域；所述掺氧多晶硅（SIPOS）保护层（5）的上面为硼磷硅玻璃（BPSG）保护层（6）；所述掺氧多晶硅（SIPOS）保护层（5）之外的区域为铝硅化合物合金层（10）；所述铝硅化合物合金层（10）的开口处的上层为P电极层（11），所述P电极层（11）与硼磷硅玻璃（BPSG）保护层（6）部分重叠；所述硼磷硅玻璃（BPSG）保护层（6）及部分P电极层（11）的上层为氮化硅（SiN）保护层（7）；所述氮化硅（SiN）保护层（7）及部分P电极层（11）的上层为聚酰亚胺（PI）保护层（8）；所述N型碳化硅衬底（2）底表面的下层为N电极层（1）。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)，其通讯地址为：550018 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。