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龙图腾网恭喜湖南大学申请的专利考虑热可靠性优化的混合器件驱动电压参数设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118114478B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410237790.9，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权考虑热可靠性优化的混合器件驱动电压参数设计方法是由涂春鸣;白丹;龙柳;肖凡;肖标;郭祺;韩硕设计研发完成，并于2024-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本考虑热可靠性优化的混合器件驱动电压参数设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种考虑热可靠性优化的混合器件驱动电压参数设计方法，包括以下步骤：步骤S1、通过损耗模型与热网络模型对混合器件结温进行实时监控；步骤S2、判定SiCMOSFET是否出现重负载引起的过温现象；步骤S3、在判定为重负载过温的情况下，若实际可调的驱动电压范围为Vmin～Vmax，则设计驱动电压参数为VGM＝Vmin、VGT＝Vmax，使SiCMOSFET的损耗最大程度的减小进而降低其结温；其中，VGM、VGT分别为SiCMOSFET、SiIGBT的驱动电压。本发明在保障变流器效率的前提下解决了SiCMOSFET在重载情况下易出现过温现象的问题。

本发明授权考虑热可靠性优化的混合器件驱动电压参数设计方法在权利要求书中公布了：1.一种考虑热可靠性优化的混合器件驱动电压参数设计方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、通过损耗模型与热网络模型对混合器件结温进行实时监控；步骤S2、判定SiCMOSFET是否出现重负载引起的过温现象；步骤S3、在判定为重负载过温的情况下，若实际可调的驱动电压范围为Vmin～Vmax，则设计驱动电压参数为VGM＝Vmin、VGT＝Vmax，其中VGM＜VGT，使SiCMOSFET的损耗最大程度的减小进而降低其结温；其中，VGM、VGT分别为SiCMOSFET、SiIGBT的驱动电压；所述步骤S1具体为：设置混合器件负载电流有效值以及初始的驱动电压VGT与VGM后，基于考虑驱动电压的损耗模型计算出SiCMOSFET与SiIGBT各自的损耗，结合热网络模型得到SiCMOSFET的稳态结温Tj_MOS与SiIGBT的稳态结温Tj_IGBT；所述损耗模型包括开通损耗、关断损耗以及导通损耗，其中：开通损耗为：Eon_MOS＝kMOSEon_hard_MOSEon_IGBT＝kIGBTEon_hard_IGBT其中，Eon_MOS、Eon_IGBT分别为SiCMOSFET、SiIGBT的开通损耗，kMOS、kIGBT分别为SiCMOSFET、SiIGBT的损耗系数，Eon_hard_MOS、Eon_hard_IGBT分别为SiCMOSFET、SiIGBT的硬开通损耗；关断损耗为： 其中，Eoff_MOS为SiCMOSFET关断损耗，Eoff_IGBT为SiIGBT关断损耗，Toff_delay为混合器件关断延时，toff1，toff2为关断延时区间，Eoff_hard_MOS、Eoff_hard_IGBT分别为SiCMOSFET、SiIGBT的硬关断损耗；E0为关断延时取toff1时SiCMOSFET的关断损耗；Eres为关断延时取toff2时SiIGBT的关断损耗，e为自然常数；τ为时间常数；导通损耗为： Econd_IGBT＝IIGBT·Vth+IIGBT·RCE式中，IMOS为SiCMOSFET的导通电流，IIGBT为SiIGBT的导通电流，Econd_MOS、Econd_IGBT分别为SiCMOSFET、SiIGBT的导通损耗；RDS为SiCMOSFET的导通电阻，Vth为SiIGBT的拐点电压，RCE为SiIGBT的导通电阻。

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