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龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利一种均流的碳化硅功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117423672B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311294973.6，技术领域涉及：H01L23/49；该发明授权一种均流的碳化硅功率模块是由袁嵩;贾道勇;江希;王颖;弓小武设计研发完成，并于2023-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种均流的碳化硅功率模块在说明书摘要公布了：本发明涉及一种均流的碳化硅功率模块，包括：基板、若干第一功率芯片、若干第二功率芯片、若干第一功率端子、若干第二功率端子和若干第三功率端子，基板包括第一功率导电面、第二功率导电面和第三功率导电面，第一功率导电面、第三功率导电面、第二功率导电面间隔排布，第三功率导电面和第二功率导电面倾斜交错；若干第一功率芯片分布在第一功率导电面上；若干第二功率芯片并联分布在第二功率导电面上；若干第一功率端子分布在第一功率导电面上；若干第二功率端子分布在第二功率导电面上；若干第三功率端子分布在第三功率导电面上。该功率模块降低了功率回路寄生电感，提高了芯片之间的电流均流程度。

本发明授权一种均流的碳化硅功率模块在权利要求书中公布了：1.一种均流的碳化硅功率模块，其特征在于，包括：基板、若干第一功率芯片1、若干第二功率芯片5、若干第一功率端子6、若干第二功率端子8和若干第三功率端子7，所述基板包括第一功率导电面12、第二功率导电面14和第三功率导电面13，其中，所述第一功率导电面12、所述第三功率导电面13、所述第二功率导电面14依次间隔排布，所述第三功率导电面13和所述第二功率导电面14之间倾斜交错以使得倾斜交错位置处的电流路径相互平行交错且方向相反；所述若干第一功率芯片1并联分布在所述第一功率导电面12上，所述若干第一功率芯片1的源极焊盘与所述第二功率导电面14连接；所述若干第二功率芯片5并联分布在所述第二功率导电面14上，所述若干第二功率芯片5与所述若干第一功率芯片1一一对应且沿碳化硅功率模块的水平中心轴对称分布，所述若干第二功率芯片5的源极焊盘与所述第三功率导电面13连接；所述若干第一功率端子6分布在所述第一功率导电面12上且分布在所述若干第一功率芯片1的两侧；所述若干第二功率端子8分布在所述第二功率导电面14上且分布在所述若干第二功率芯片5的两侧，与所述若干第一功率端子6一一对应地平行排列；所述若干第三功率端子7分布在所述第三功率导电面13上，与所述若干第一功率端子6一一对应地平行排列且彼此靠近。

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