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龙图腾网恭喜广东天域半导体股份有限公司申请的专利用于双层结构生长衬底外延生长的样品托获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116288691B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310291640.1，技术领域涉及：C30B25/12；该发明授权用于双层结构生长衬底外延生长的样品托是由丁雄傑;刘薇;李焕婷;张红;周泽成;邱树杰;李浩然;李锡光设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于双层结构生长衬底外延生长的样品托在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于双层结构生长衬底外延生长的样品托，包括托盘本体和掩膜板，托盘本体上开设有设有容纳生长衬底的主容置槽和容纳参考衬底的副容置槽，掩膜板沿一随托盘本体的旋转离心方向设置的滑动轨道滑动安装于托盘本体上，副容置槽位于沿滑动轨道由后向前排布的第一位置和第二位置，掩膜板沿滑动轨道在滑动后位和滑动前位之间滑动以切换遮盖第一位置处的副容置槽和第二位置处的副容置槽，掩膜板和滑动轨道之间的接触表面光滑，以使掩膜板在托盘本体减速时可在惯性作用下从遮盖第一位置处的副容置槽切换至遮盖第二位置处的副容置槽。本发明可通过掩膜板的惯性滑动切换遮盖参考衬底，在双层外延层生产时获得每一层外延层生长的单层样品。

本发明授权用于双层结构生长衬底外延生长的样品托在权利要求书中公布了：1.一种用于双层结构生长衬底外延生长的样品托，其特征在于：包括托盘本体和掩膜板，所述托盘本体上设有容纳生长衬底的主容置槽和容纳参考衬底的副容置槽，所述掩膜板沿一滑动轨道滑动安装于所述托盘本体上，所述滑动轨道沿所述托盘本体旋转的离心方向设置且设置有限制所述掩膜板由所述滑动轨道的滑动前位向所述滑动轨道的滑动后位滑动的限位部，所述副容置槽位于沿所述滑动轨道由后向前排布的第一位置和第二位置，所述掩膜板沿所述滑动轨道在所述滑动后位和滑动前位之间滑动，以切换遮盖所述第一位置处的副容置槽和第二位置处的副容置槽，所述掩膜板和所述滑动轨道之间的接触表面为光滑的滑动面，以使所述掩膜板在所述托盘本体减速时可在惯性作用下在所述滑动轨道上由后向前滑动，且从遮盖所述第一位置处的副容置槽切换至遮盖所述第二位置处的副容置槽。

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