恭喜哈尔滨工业大学(深圳)肖淑敏获国家专利权
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龙图腾网恭喜哈尔滨工业大学(深圳)申请的专利一种倾斜微纳结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115403002B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210982168.1，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种倾斜微纳结构的制备方法是由肖淑敏;刘怡麟;王雨杰;宋清海设计研发完成，并于2022-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种倾斜微纳结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种倾斜微纳结构的制备方法，其包括如下步骤：步骤S1，在基底上制备待刻蚀材料膜层；步骤S2，在待刻蚀材料膜层上制备图案化掩模层；步骤S3，将步骤S2制备了图案化掩模层的样品放在槽型载件的斜面上，将槽型载件放置于干法刻蚀机台腔体的下电极上，斜面朝上，进行刻蚀；所述槽型载件内，斜面与水平面的夹角为5°‑70°，所述槽型载件的开口上覆盖金属隔离网；步骤S4，移除残余的掩模层。采用本发明的技术方案的刻蚀方法，能够使微纳结构倾斜角在5‑70度可控，精细控制的倾斜角度能够大大减小所设计微纳结构的制备误差。而且不受材料限制，适用与多种不同介质材料。
本发明授权一种倾斜微纳结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倾斜微纳结构的制备方法，其特征在于：其包括如下步骤：步骤S1，在基底上制备待刻蚀材料膜层；所述刻蚀材料膜层的材料为二氧化钛；步骤S2，在待刻蚀材料膜层上制备图案化掩模层；步骤S3，将步骤S2制备了图案化掩模层的样品放在槽型载件的斜面上，将槽型载件放置于干法刻蚀机台腔体的下电极上，斜面朝上，进行刻蚀；所述槽型载件内，斜面与水平面的夹角为5°-70°，所述槽型载件的开口上覆盖金属隔离网；步骤S4，移除残余的掩模层；步骤S3在刻蚀过程中，通入氩气，所述氩气的流量为1sccm-40sccm；步骤S3中，所述干法刻蚀机台的射频源功率为50W-400W。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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