恭喜中国科学院微电子研究所王魁波获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利气浴发生器及光刻设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115390365B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210952172.3，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权气浴发生器及光刻设备是由王魁波;吴晓斌;罗艳;沙鹏飞;韩晓泉;李慧;谢婉露;高梓翔设计研发完成，并于2022-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本气浴发生器及光刻设备在说明书摘要公布了：本发明涉及光刻技术领域，提供了一种气浴发生器及光刻设备，其中气浴发生器包括环体结构和出风口加强结构，环体结构设有豁口，环体结构在豁口处形成相对设置的两端；出风口加强结构设于两端，出风口加强结构包括第二出气口；环体结构用于围绕工作区域设置，且环体结构内形成有气体流道，环体结构上设置有与气体流道连通的沿周向分布的多个第一出气口，第二出气口与气体流道连通，流经第一出气口的气体能够形成围绕工作区域分布的封闭气流层，流经第二出气口的气体能够形成封闭气流层和封堵豁口的封堵气流层。本发明提供的气浴发生器及光刻设备，很好地解决了如何降低光刻设备内硅片微环境的气体污染和颗粒污染的问题。
本发明授权气浴发生器及光刻设备在权利要求书中公布了：1.一种气浴发生器，其特征在于，包括环体结构和出风口加强结构，所述环体结构设有豁口，所述环体结构在所述豁口处形成相对设置的两端；所述出风口加强结构设于所述两端，所述出风口加强结构包括第二出气口；所述环体结构用于围绕工作区域设置，且所述环体结构内形成有气体流道，所述环体结构上设置有与所述气体流道连通的沿周向分布的多个第一出气口，所述第二出气口与所述气体流道连通，流经所述第一出气口的气体能够形成围绕所述工作区域分布的封闭气流层，流经所述第二出气口的气体能够形成所述封闭气流层和封堵所述豁口的封堵气流层。
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