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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利3D CMOS图像传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020437B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210850651.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权3D CMOS图像传感器及其形成方法是由周成;王厚有设计研发完成，并于2022-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本3D CMOS图像传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种3DCMOS图像传感器及其形成方法，涉及图像传感器领域，包括：衬底，衬底内包括至少一个光电二极管；阱区，阱区形成于所述光电二极管上方并与所述光电二极管连接，所述阱区为薄膜空腔结构；浮置扩散区，浮置扩散区形成于所述衬底上且位于所述阱区上方，并与所述阱区连接；以及，传输栅，传输栅浮置于所述衬底上方且将所述阱区包围，所述传输栅为金属栅。通过将所述传输栅和浮置扩散区浮置于所述衬底上方，浮置扩散区可以自由扩展面积，增加满阱容量。另外，使用金属栅作为传输栅，减少了栅电阻，增加传输栅响应速度，有利于增加光量子效率。采用薄膜空腔结构构成阱区，阱区无需作额外的离子注入掺杂，有利于降低工艺难度。

本发明授权3D CMOS图像传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种3DCMOS图像传感器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内包括至少一个光电二极管；阱区，所述阱区形成于所述光电二极管上方，并与所述光电二极管连接，所述阱区为薄膜空腔结构；浮置扩散区，所述浮置扩散区形成于所述衬底上且位于所述阱区上方，并与所述阱区连接；以及，传输栅，所述传输栅浮置于所述衬底上方且将所述阱区包围，所述传输栅为金属栅；第一介质层，所述第一介质层位于所述传输栅与所述衬底之间；以及贯穿所述第一介质层的第一开口；第一多晶硅层，所述第一多晶硅层覆盖所述第一开口的侧壁和底壁，以构成所述阱区；第三介质层，所述第三介质层填充于所述第一开口中；第二开口，所述第二开口形成于所述第一开口中且位于所述第三介质层上方；以及，第二多晶硅层，所述第二多晶硅层填充于所述第二开口中，以形成所述浮置扩散区。

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