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龙图腾网恭喜北京航空航天大学申请的专利基于磁旋逻辑隧道结的算术逻辑缓存单元及其存储方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210861513.6，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权基于磁旋逻辑隧道结的算术逻辑缓存单元及其存储方法是由张昆;黄炎;杨晴;陈磊;赵巍胜;张悦设计研发完成，并于2022-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于磁旋逻辑隧道结的算术逻辑缓存单元及其存储方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于磁旋逻辑隧道结的算术逻辑缓存单元及其存储方法，包括MESO和MTJ；水平桥接的MESO包括第一互联电极，第一互联电极上设有多铁层，第一铁磁层的一端位于多铁层上方，另一端下方依次为自旋注入层、自旋电荷转换层，自旋电荷转换层侧边为第二互联电极；垂直桥接的MESO包括第一互联电极，第一互联电极上设有多铁层，多铁层上方依次为第一铁磁层、自旋注入层、自旋电荷转换层，自旋电荷转换层侧边为第二互联电极；MTJ包括核心区和电极；核心区包括第一铁磁、隧穿势垒层、第二铁磁层，电极包括：第三互联电极为顶电极，自旋注入层、自旋电荷转换层、第二互联电极共同构成底电极。本发明实现了ALU和Cache的一体化，即算术逻辑存储单元ALCU。

本发明授权基于磁旋逻辑隧道结的算术逻辑缓存单元及其存储方法在权利要求书中公布了：1.一种基于磁旋逻辑隧道结的算术逻辑缓存单元，其特征在于，包括一个磁旋逻辑器件MESO一个磁隧道结MTJ，MESO包含水平桥接或垂直桥接；水平桥接的MESO包括第一互联电极1，第一互联电极1上设有多铁层2，第一铁磁层3的一端位于多铁层2上方，另一端下方依次为自旋注入层4、自旋电荷转换层5，自旋电荷转换层5侧边为第二互联电极6；垂直桥接的MESO包括第一互联电极1，第一互联电极1上设有多铁层2，多铁层2上方依次为第一铁磁层3、自旋注入层4、自旋电荷转换层5，自旋电荷转换层5侧边为第二互联电极6；MTJ包括核心区和电极；核心区包括第一铁磁层3，第一铁磁层3上依次为隧穿势垒层7、第二铁磁层8；电极包括顶电极和底电极；顶电极包括第二铁磁层8上方的第三互联电极9，底电极包括第一铁磁层3一侧的自旋注入层4、自旋电荷转换层5、和自旋电荷转换层5紧邻的第二互联电极6；在水平桥接的算术逻辑缓存单元中，底电极位于第一铁磁层3的下方，在垂直桥接的算术逻辑缓存单元中，底电极位于第一铁磁层3的上方；借助MESO完成数据的运算，数据原位存储在MTJ中，从而利用单器件实现了算术逻辑单元ALU和缓存Cache的功能。

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