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龙图腾网恭喜上海南芯半导体科技股份有限公司申请的专利一种适用于单双电芯的电池充放电管理系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115065111B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210623940.0，技术领域涉及：H02J7/00；该发明授权一种适用于单双电芯的电池充放电管理系统是由肖哲飞设计研发完成，并于2022-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于单双电芯的电池充放电管理系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种适用于单双电芯的电池充放电管理系统，属于电池充放电技术领域。所述电池充放电管理系统包括：降压电压转换器、开关电容电压转换器以及开关管转换器；所述降压电压转换器包括NMOS管M1～M4以及电感L；所述开关电容电压转换器包括NMOS管M7～M14；所述开关管转换器包括NMOS管M5和M6。本发明提供的适用于单双电芯的电池充放电管理系统，仅采用一个降压电压转换器连同开关电容电压转换器和开关管转换器即可实现单节电芯电池和双节电芯电池系统的快速充电，电路结构简单且成本更低。

本发明授权一种适用于单双电芯的电池充放电管理系统在权利要求书中公布了：1.一种适用于单双电芯的电池充放电管理系统，其特征在于，包括：降压电压转换器、开关电容电压转换器以及开关管转换器；所述降压电压转换器包括NMOS管M1～M4以及电感L；所述开关电容电压转换器包括NMOS管M7～M14；所述开关管转换器包括NMOS管M5和M6；所述NMOS管M1～NMOS管M14的栅极均连接控制环路输出；所述NMOS管M1的源极连接输入电压VBUS，所述NMOS管M1的漏极电压为VPMID；VPMID还同时连接至所述NMOS管M2和NMOS管M5的漏极；所述NMOS管M2的源极同时连接所述NMOS管M3的漏极和所述电感L的一端；所述NMOS管M3的源极接地；所述电感L的另一端连接所述NMOS管M4的漏极；所述NMOS管M4的漏极电压为VSYS；所述NMOS管M4的源极连接单节电芯连接处V1X；所述NMOS管M7的源极连接所述NMOS管M8的漏极，所述NMOS管M8的源极连接所述NMOS管M9的漏极，所述NMOS管M9的源极连接所述NMOS管M10的漏极，所述NMOS管M10的源极接地；所述NMOS管M14的源极连接所述NMOS管M13的漏极，所述NMOS管M13的源极连接所述NMOS管M12的漏极，所述NMOS管M12的源极连接所述NMOS管M11的漏极，所述NMOS管M11的源极接地；所述NMOS管M8和所述NMOS管M13的源极均连接所述NMOS管M4的源极；所述NMOS管M7的漏极和所述NMOS管M14的漏极均连接所述NMOS管M6的漏极；所述NMOS管M6的漏极连接到双节电芯连接处V2X；所述NMOS管M6的源极连接所述NMOS管M5的源极。

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