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龙图腾网恭喜电子科技大学;上海麦歌恩微电子股份有限公司申请的专利一种巨磁电阻线性传感器实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114280513B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111560518.7，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权一种巨磁电阻线性传感器实现方法是由唐晓莉;马成鑫;姜杰设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种巨磁电阻线性传感器实现方法在说明书摘要公布了：一种巨磁电阻线性传感器实现方法，属于电子材料与元器件技术领域。首先，在压电基片的上下表面制备导电层，作为对压电基片施加电压的上电极和下电极；然后，在诱导磁场下、采用薄膜沉积工艺在上电极表面依次沉积第一隔离层、反铁磁层、第二铁磁层、第二隔离层、第一铁磁层和保护层；最后，在压电基片的上下电极施加电压，使反铁磁层的磁矩转动，并带动第二铁磁层的磁矩共同转动，则第一铁磁层和第二铁磁层的磁矩呈现夹角，完成巨磁电阻线性传感器的制备。本发明巨磁电阻线性传感器实现方法，具有结构简单、工艺难度低、低功耗等优点。

本发明授权一种巨磁电阻线性传感器实现方法在权利要求书中公布了：1.一种巨磁电阻线性传感器实现方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、以压电基片作为巨磁电阻线性传感器的基片，在压电基片的上下表面制备导电层，作为对压电基片施加电压的上电极和下电极，得到带上下电极的压电基片；步骤2、在诱导磁场下、采用薄膜沉积工艺在上电极表面依次沉积第一隔离层、反铁磁层、第二铁磁层、第二隔离层和第一铁磁层；步骤3、在步骤2得到的第一铁磁层上沉积保护层；步骤4、在压电基片的上下电极施加电压，使反铁磁层的磁矩转动，并带动第二铁磁层的磁矩共同转动，则第一铁磁层和第二铁磁层的磁矩呈现夹角，完成巨磁电阻线性传感器的制备；所述第一铁磁层和第二铁磁层为磁致伸缩系数不为0的材料或磁致伸缩系数为0的材料；当第一铁磁层和第二铁磁层为磁致伸缩系数为0的材料时，所述第一隔离层去掉；当第一铁磁层和第二铁磁层为磁致伸缩系数不为0的材料时，所述第一隔离层的厚度需确保应力传递至反铁磁层而不到达第二铁磁层。

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