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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130481B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011460737.3，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体装置及其制造方法是由杨松鑫;郑宗期;萧茹雄设计研发完成，并于2020-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了半导体装置及其制造方法。在一实施方式中，半导体装置包括：一基板其包括一核心装置区域和一输入输出装置IO装置区域；在核心装置中的多个核心装置，多个核心装置中的各者包括沿着第一方向延伸的第一主动区域；以及在输入输出装置区域中的多个第一输入输出装置IO晶体管，多个第一输入输出装置IO晶体管中的各者包括沿着第一方向延伸的第二主动区域。第一主动区域包括第一宽度其沿着垂直于第一方向的第二方向，并且第二主动区域包括第二宽度其沿着第二方向。第二宽度大于第一宽度。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一基板，其包括一核心装置区域和一输入输出装置区域；多个核心装置，其在该核心装置区域中，所述多个核心装置中的各者包括一第一主动区域，其沿着第一方向延伸，并且该第一主动区域包括沿着该第一方向平行延伸并且沿着垂直于该第一方向的第二方向间隔开的两个半导体鳍片；多个第一输入输出晶体管，其在该输入输出装置区域中，所述多个第一输入输出晶体管中的各者包括一第二主动区域，其沿着该第一方向延伸，一第一栅极结构，围绕在该第一主动区域中的所述两个半导体鳍片并且沿着该第二方向纵向延伸；一第二栅极结构，围绕该第二主动区域并且沿着该第二方向纵向延伸；以及多个第二输入输出晶体管，所述多个第二输入输出晶体包括一第三主动区域，其沿着该第一方向延伸；其中，该第一主动区域的所述两个半导体鳍片中的各者包括沿着该第二方向的第一宽度，并且该第二主动区域包括第二宽度，其沿着该第二方向，其中该第二宽度大于该第一宽度，其中该第一栅极结构包括沿着该第一方向的一第一栅极尺寸，其中该第二栅极结构包括沿着该第一方向的一第二栅极尺寸，其中该第一栅极尺寸和该第二栅极尺寸相同，并且该第一栅极结构和该第二栅极结构在该第二方向彼此对准并间隔开，并且该第一栅极结构和该第二栅极结构从沿着该第二方向延伸的一单个栅极结构中切割，其中该第三主动区域包括沿着该第二方向的第三宽度，其中该第三宽度等于该第一宽度。

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