恭喜台湾积体电路制造股份有限公司何宜臻获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路晶粒及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013102B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010935547.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权集成电路晶粒及其制造方法是由何宜臻;林千;林子玮;谢忠儒;赖经纶;罗名凯设计研发完成，并于2020-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路晶粒及其制造方法在说明书摘要公布了：一种集成电路晶粒及其制造方法，集成电路晶粒包括FinFET晶体管。FinFET晶体管包括在通道区域下方的防冲穿区域。在形成源极区域及漏极区域的过程中，从防冲穿区域移除不需要的掺杂剂。当形成源极及漏极凹座时，在凹座中沉积介电材料层。接着执行退火制程。在退火制程中，不需要的掺杂剂从防冲穿区域扩散至介电材料层内。接着，移除介电材料层。然后，通过在凹座中沉积半导体材料来形成源极区域及漏极区域。
本发明授权集成电路晶粒及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造集成电路晶粒的方法，其特征在于，包含以下步骤：形成包括一通道区域及一防冲穿区域的一半导体鳍片；在该半导体鳍片中形成一凹座，该凹座具有邻接该防冲穿区域的一侧壁；沉积一介电材料层在该凹座的该侧壁上；当该介电材料层在该凹座的该侧壁上时执行一退火制程，其中该执行该退火制程包括：将一第一掺杂剂自该防冲穿区域扩散至该介电材料层内；在执行该退火制程之后，自该凹座的该侧壁移除该介电材料层；以及通过在该凹座中沉积一半导体材料以在该半导体鳍片中形成一晶体管源极区域。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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