恭喜日月光半导体制造股份有限公司彭勃澍获国家专利权
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龙图腾网恭喜日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体装置封装及制造半导体装置封装的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110137150B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810330533.4，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体装置封装及制造半导体装置封装的方法是由彭勃澍;何政霖;李志成设计研发完成，并于2018-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置封装及制造半导体装置封装的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体装置封装及制造半导体装置封装的方法。本发明提供一种衬底，其包含具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的第一电介质层、邻近于所述第一电介质层的所述第一表面且包括互连结构的第一图案化导电层以及互连元件。所述互连元件从所述第一电介质层的所述第一表面延伸到所述第一电介质层的所述第二表面，且由所述互连结构围绕。
本发明授权半导体装置封装及制造半导体装置封装的方法在权利要求书中公布了：1.一种衬底，其包括：第一电介质层，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一图案化导电层，其邻近于所述第一电介质层的所述第一表面且包括嵌入于所述第一电介质层的互连结构及邻近于所述互连结构的导电迹线；以及互连元件，其从所述第一电介质层的所述第一表面延伸到所述第一电介质层的所述第二表面且由所述互连结构围绕，其中所述第一电介质层的所述第一表面、所述互连结构的顶表面及所述互连元件的顶表面大体上共面，其中所述第一图案化导电层嵌入于所述第一电介质层中，且所述第一电介质层的所述第一表面与所述第一图案化导电层的表面大体上共面，其中所述互连元件包括第一部分和第二部分，其中所述互连元件的所述第一部分包括圆柱形结构且所述互连元件的所述第二部分包括圆锥形结构，且其中所述互连元件的所述第一部分的宽度小于所述互连元件的所述第二部分的宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人日月光半导体制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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