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龙图腾网恭喜山西创芯光电科技有限公司申请的专利一种可保护金属电极的大面阵红外探测器芯片减薄方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584701B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510137532.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种可保护金属电极的大面阵红外探测器芯片减薄方法是由王慧云;张培峰;王书浩;李水利;张竟;韩瑞华;贺利明;苏莹设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可保护金属电极的大面阵红外探测器芯片减薄方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种可保护金属电极的大面阵红外探测器芯片减薄方法，属于红外探测器制备技术领域；解决了传统的背研磨抛光工艺需要先采用光刻胶保护电路，胶水固化时间长，工艺耗时较长且效率低下的问题；包括以下步骤：在芯片上生长用于保护金属电极的介质层；将芯片粘接于玻璃衬底上，并在芯片的四周贴上陪条；然后进行研磨、抛光直至达到所需芯片厚度；制作与芯片的ROIC和FPA对应的光刻版，抛光完成后将芯片从玻璃衬底上取下，然后在芯片上整体匀涂一层光刻胶，利用光刻版显影后裸露出芯片四周的金属电极，然后对芯片进行后烘；去除介质层；清洗掉表面的光刻胶；本发明可实现对探测器芯片金属电极的保护。

本发明授权一种可保护金属电极的大面阵红外探测器芯片减薄方法在权利要求书中公布了：1.一种可保护金属电极的大面阵红外探测器芯片减薄方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤A：在大面阵红外探测器芯片上生长用于保护金属电极的介质层；步骤B：将大面阵红外探测器芯片粘接于玻璃衬底上，并在大面阵红外探测器芯片的四周贴上陪条；然后进行研磨、抛光直至达到所需芯片厚度；步骤C：制作与大面阵红外探测器芯片的ROIC和FPA对应的光刻版，抛光完成后将大面阵红外探测器芯片从玻璃衬底上取下，然后在大面阵红外探测器芯片上整体匀涂一层光刻胶，利用光刻版显影后裸露出大面阵红外探测器芯片四周的金属电极，然后对大面阵红外探测器芯片进行后烘；步骤D：去除介质层；步骤E：将大面阵红外探测器芯片放置于有机溶液中，清洗掉表面的光刻胶，即可完成研磨抛光工艺。

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