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恭喜天府永兴实验室蒲万芬获国家专利权

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龙图腾网恭喜天府永兴实验室申请的专利基于中空介孔二氧化硅纳米颗粒的页岩气藏用超临界CO2增稠剂及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119505125B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510080838.4,技术领域涉及:C08F292/00;该发明授权基于中空介孔二氧化硅纳米颗粒的页岩气藏用超临界CO2增稠剂及其制备方法是由蒲万芬设计研发完成,并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

基于中空介孔二氧化硅纳米颗粒的页岩气藏用超临界CO2增稠剂及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于中空介孔二氧化硅纳米颗粒的页岩气藏用超临界CO2增稠剂及其制备方法,涉及油气田开发技术领域。该增稠剂的制备方法包括以下步骤:由摩尔比为3~5:1~2:1~2的丙烯酸氟酯、苯乙烯、乙酸乙烯酯组成的单体,以及单体总质量2%~5%的带碳碳双键的中空介孔二氧化硅纳米颗粒在引发剂的作用下反应制得。本发明的制备方法在反应过程中不添加有机溶剂,不会对人体产生伤害;本发明的增稠剂对CO2增黏效果好,携砂性能好,能有效提升压裂效果。

本发明授权基于中空介孔二氧化硅纳米颗粒的页岩气藏用超临界CO2增稠剂及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种基于中空介孔二氧化硅纳米颗粒的页岩气藏用超临界CO2增稠剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:由摩尔比为3~5:1~2:1~2的丙烯酸氟酯、苯乙烯、乙酸乙烯酯组成的单体,以及单体总质量2%~5%的带碳碳双键的中空介孔二氧化硅纳米颗粒在引发剂的作用下反应制得;所述带碳碳双键的中空介孔二氧化硅纳米颗粒由中空介孔二氧化硅纳米颗粒上枝接含碳碳双键的单体得到,其中,所述含碳碳双键的单体为含碳碳双键的硅烷偶联剂,且硅烷偶联剂的用量为所述中空介孔二氧化硅纳米颗粒质量的15%~25%,所述硅烷偶联剂为γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷中的一种。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人天府永兴实验室,其通讯地址为:610000 四川省成都市天府新区集萃街619号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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