广东工业大学刘文杰获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种光电导太赫兹光混频芯片及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610281B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410507398.1，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种光电导太赫兹光混频芯片及其制备方法和应用是由刘文杰;陈纯;傅开祥;郭宇航;孙粤辉;秦玉文;王云才设计研发完成，并于2024-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电导太赫兹光混频芯片及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种光电导太赫兹光混频芯片及其制备方法和应用。该光电导太赫兹光混频芯片，包括光电导有源区，所述光电导有源区从下到上包括衬底、半导体层、电极和増透层；所述电极为叉指金属光栅电极。本发明的光电导太赫兹光混频芯片通过激发高阶耦合等离激元效应，最大程度地提高半导体层的入射光吸收效率以及局域场增强效果。同时，场增强效果作用于叉指金属光栅电极，在叉指金属光栅电极下方的电场实现光场增强的效果，这将在叉指金属光栅电极下方产生更高密度的光生载流子，并且载流子在叉指金属光栅电极附近产生直接输运到叉指金属光栅电极，进一步增强载流子的输运。
本发明授权一种光电导太赫兹光混频芯片及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种光电导太赫兹光混频芯片，其特征在于，包括光电导有源区，所述光电导有源区从下到上包括衬底（4）、半导体层（3）、电极（2）和増透层（1）；所述电极（2）为叉指金属光栅电极；所述电极（2）与半导体层（3）的接触界面形成局域表面等离子体共振模式；所述电极（2）的下方激发多级次类FP模式；所述局域表面等离子体共振模式和所述多级次类FP模式耦合而实现高阶耦合等离激元模式的激发；所述衬底（4）的厚度大于50μm，所述半导体层（3）的厚度为1000~2000nm；所述叉指金属光栅电极的单根叉指的宽度为1000~2000nm、高度为100~400nm，叉指金属光栅电极的一个周期的宽度为1~6μm；所述半导体层（3）适用于光电导太赫兹光混频芯片。
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