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龙图腾网恭喜北京大学申请的专利半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118315343B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410442420.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备是由吴恒;彭莞越;葛延栋;卢浩然;王润声;黎明;黄如设计研发完成，并于2024-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；在有源结构上沉积绝缘材料，形成浅槽隔离结构；在浅槽隔离结构上形成硬掩模层，并以硬掩模层为掩模刻蚀浅槽隔离结构，以形成栅极凹槽；在栅极凹槽中沉积半导体材料，以形成初始伪栅结构；第一伪栅结构和第二伪栅结构自对准；去除浅槽隔离结构中包裹第一有源结构的一部分，以暴露第一有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；去除浅槽隔离结构中包裹第二有源结构的一部分，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管。通过本申请，可以优化工艺流程。

本发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成有源结构；所述有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；在有源结构上沉积绝缘材料，形成浅槽隔离结构；所述浅槽隔离结构包裹所述有源结构；在所述浅槽隔离结构上形成硬掩模层，并以所述硬掩模层为掩模刻蚀所述浅槽隔离结构，以形成栅极凹槽；在所述栅极凹槽内、所述有源结构的表面沉积氧化物，以形成氧化隔离层；在所述栅极凹槽中沉积半导体材料，以形成初始伪栅结构；所述初始伪栅结构包括对应于所述第一有源结构的第一伪栅结构和对应于所述第二有源结构的第二伪栅结构，所述第一伪栅结构和所述第二伪栅结构自对准；去除所述浅槽隔离结构中包裹所述第一有源结构的一部分，以暴露所述第一有源结构；基于所述第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除所述衬底；去除所述浅槽隔离结构中包裹所述第二有源结构的一部分，以暴露所述第二有源结构；基于所述第二有源结构，形成第二晶体管；所述第一晶体管和所述第二晶体管自对准。

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