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龙图腾网恭喜湖北九峰山实验室申请的专利一种双栅控制低导通电阻异质结场效应晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118073412B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410309030.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种双栅控制低导通电阻异质结场效应晶体管及其制造方法是由李明哲;朱厉阳;袁俊;彭若诗;徐少东;郭飞;王宽;吴阳阳;陈伟;成志杰设计研发完成，并于2024-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双栅控制低导通电阻异质结场效应晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种双栅控制低导通电阻异质结场效应晶体管及其制造方法，包括：衬底、超结结构、栅极结构、沟道结构、第一电极和第二电极。超结结构包括漂移层，漂移层为N型掺杂。栅极结构包括势垒层、栅极帽层、第一栅极和第二栅极。势垒层和漂移层接触用于形成二维电子气导电沟道，在正向导通时，二维电子气导电沟道能够降低正向导通电阻，提高正向导通电流，提高器件性能。栅极帽层为P型掺杂，当晶体管为关态时，利用栅极帽层耗尽二维电子气导电沟道的电子，实现高耐压性能。第二栅极位于栅极帽层远离衬底的一侧表面，这样第一栅极和第二栅极就能够分别进行晶体管的开关状态的控制，提高栅极可靠性，进而提高器件性能。

本发明授权一种双栅控制低导通电阻异质结场效应晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种双栅控制低导通电阻异质结场效应晶体管，其特征在于，所述双栅控制低导通电阻异质结场效应晶体管包括：衬底和位于衬底一侧表面的超结结构，所述超结结构包括漂移层，所述衬底和所述漂移层为N型掺杂，所述衬底和所述漂移层的材料包括镓或铝；栅极结构，所述栅极结构位于所述超结结构远离所述衬底的一侧表面，所述栅极结构和所述漂移层在所述衬底上的投影重合；所述栅极结构包括势垒层、栅极帽层、第一栅极和第二栅极，所述势垒层和所述漂移层接触用于形成二维电子气导电沟道，所述栅极帽层位于所述势垒层远离所述衬底的一侧表面，所述栅极帽层为P型掺杂，所述第二栅极位于所述栅极帽层远离所述衬底的一侧表面，所述势垒层的材料包括铝，所述栅极帽层的材料和所述漂移层的材料相同；沟道结构，沿着平行于所述衬底的表面所在方向，所述沟道结构位于所述栅极结构的两侧；第一电极和第二电极，所述第一电极设置于所述衬底远离所述超结结构的一侧表面，所述第二电极覆盖所述沟道结构；所述衬底和所述漂移层的材料为氧化镓、氮化镓、砷化镓或氮化铝，所述势垒层的材料为铝镓氧、铝镓氮或铝镓砷；当所述衬底和所述漂移层的材料为氧化镓、氮化镓或砷化镓时，所述势垒层的材料还为氮化铝；还包括绝缘层，所述绝缘层设置于所述栅极结构和所述沟道结构之间，所述第一栅极贯穿部分厚度的所述绝缘层，所述第一栅极利用所述绝缘层和所述沟道结构隔离，所述第一栅极利用所述绝缘层和所述势垒层隔离。

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