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龙图腾网恭喜全宇昕科技股份有限公司申请的专利金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130651B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010040387.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法是由徐信佑;陈涌昌;王振煌设计研发完成，并于2020-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法。金属氧化物半导体场效晶体管包含基材结构、多个掺杂区域、氧化层结构、多个半导体层结构、介电质层结构及金属结构。基材结构包含基底层及磊晶层。磊晶层沿第一方向形成多个沟槽。任两相邻的沟槽间形成一间距。多个沟槽间的间距沿第一方向递增。多个掺杂区域分别形成于多个沟槽的底部。氧化层结构形成于多个沟槽的内壁及磊晶层的表面上。多个半导体层结构分别形成于多个沟槽中，以形成多个沟渠式结构。介电质层结构形成于氧化层结构上。金属结构形成于介电质层结构上且电性连接于至少其中一个沟渠式结构。借此，能实现生产成本低、生产产率高、体积小、及构造简单等产品上的竞争优势。

本发明授权金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体场效晶体管包括： 一基材结构，其包含： 一基底层；及 一磊晶层，其形成于所述基底层上，并且所述磊晶层形成有多个沟槽； 其中，多个所述沟槽是沿着一第一方向间隔地凹设于所述磊晶层的相反于所述基底层的一侧表面，并且任何两个相邻的所述沟槽之间形成有一间距，而多个所述沟槽之间的所述间距是沿着所述第一方向递增；其中，多个所述沟槽的数量为N个，N为大于3的正整数，并且任何两个彼此相邻的所述间距的一增加量是介于5％至25％之间； 多个掺杂区域，其分别形成于多个所述沟槽的底部、且朝着所述磊晶层的部分扩散； 一氧化层结构，其包含： 多个沟槽氧化层，其分别形成于多个所述沟槽的内壁上、且分别抵接于多个所述掺杂区域；其中，每个所述沟槽氧化层包围形成有一凹槽；及 一披覆氧化层，其形成于所述磊晶层的相反于所述基底层的一侧表面上、且延伸地连接于多个所述沟槽氧化层之间； 多个半导体层结构，其分别形成于多个所述凹槽中，以分别与多个所述沟槽氧化层共同形成为多个沟渠式结构； 一介电质层结构，其形成且覆盖于所述氧化层结构及多个所述半导体层结构上；以及 一金属结构，其形成于所述介电质层结构的相反于所述基底层的一侧表面上、且电性连接于多个所述沟渠式结构中的至少其中一个所述沟渠式结构。

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