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龙图腾网恭喜河源市众拓光电科技有限公司申请的专利并联型GaN整流集成芯片及其制作方法、相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117747548B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311759961.6，技术领域涉及：H10D84/05；该发明授权并联型GaN整流集成芯片及其制作方法、相关设备是由李国强;曹犇设计研发完成，并于2023-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本并联型GaN整流集成芯片及其制作方法、相关设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体芯片技术领域，具体公开了一种并联型GaN整流集成芯片及其制作方法、相关设备，其中，方法包括步骤：制备外延片；刻蚀所述外延片以使所述外延片上形成多个台面隔离的二极管器件；刻蚀所述二极管器件的N‑GaN层以使部分所述P‑GaN层外露；在所述二极管器件的N‑GaN层上制备阴极，在所述二极管器件的P‑GaN层的外露部分制备阳极；基于所述阴极和阳极制备并联结构连接多个所述二极管器件；该方法制作的芯片包含多个GaN基PN结二极管，相比于整流晶闸管，GaN基器件具有更高的频率范围和功率范围，能作为高频大功率整流电路的整流器件使用，并大幅度缩小整流芯片的面积尺寸。

本发明授权并联型GaN整流集成芯片及其制作方法、相关设备在权利要求书中公布了：1.一种并联型GaN整流集成芯片制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：制备外延片，所述外延片包括由下至上依次连接的衬底、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、P-GaN层及N-GaN层；刻蚀所述外延片以使所述外延片上形成多个台面隔离的二极管器件；刻蚀所述二极管器件的N-GaN层以使部分所述P-GaN层外露；在所述二极管器件的N-GaN层上制备阴极，在所述二极管器件的P-GaN层的外露部分制备阳极；基于所述阴极和阳极制备并联结构连接多个所述二极管器件，所述二极管器件为两个，分别为第一二极管和第二二极管，所述并联结构包括第一导线、第二导线、第三导线和第四导线，所述第一导线连接所述第一二极管的阳极，所述第二导线一端连接所述第一二极管的阴极，另一端连接所述第二二极管的阳极，所述第三导线连接所述第二二极管的阳极，所述第四导线连接所述第二二极管的阴极;所述第三导线作为高频信号输入端使用，所述第四导线作为直流电压输出端使用，所述第一导线作为接地端使用。

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