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龙图腾网恭喜江苏山水半导体科技有限公司申请的专利一种用于多晶硅栅极结构的CMP抛光液及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117567940B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311470871.5，技术领域涉及：C09G1/02；该发明授权一种用于多晶硅栅极结构的CMP抛光液及其制备方法是由蒋丽娇;张俊华;王超铭;井锋设计研发完成，并于2023-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于多晶硅栅极结构的CMP抛光液及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及CMP抛光技术领域，具体涉及一种用于多晶硅栅极结构的CMP抛光液及其制备方法，硅溶胶100份，碱性速率促进剂3‑6份，表面活性剂0.5‑2份，pH调节剂0.5‑2份，铵盐速率调节剂0‑0.8份，杀菌剂0.1‑0.5份，去离子水90份；CMP抛光液的pH值至少是8；碱性速率促进剂选自1,3‑二氮唑、无水哌嗪、三乙烯四胺、吡啶、四甲基胍、乙二胺、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二乙烯三胺中的至少一种。本发明能够实现对二氧化硅和氮化硅速率选择比的调节，在对二氧化硅和氮化硅去除速率影响较小的前提下，能够提高多晶硅的去除速率，且不引入金属离子的污染，适用于先进制程的多晶硅栅极化学机械平坦化。

本发明授权一种用于多晶硅栅极结构的CMP抛光液及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于多晶硅栅极结构的CMP抛光液，其特征在于，包括如下重量份的成分：硅溶胶100份，碱性速率促进剂3-6份，表面活性剂0.5-2份，pH调节剂0.5-2份，铵盐速率调节剂0-0.8份，杀菌剂0.1-0.5份，去离子水90份；所述CMP抛光液的pH值在9-11之间；所述碱性速率促进剂是1,3-二氮唑、三乙烯四胺、吡啶、四甲基胍、乙二胺、二乙烯三胺中的一种与无水哌嗪按照质量比3:2配制的；所述铵盐速率调节剂选自氯化铵、硫酸铵、酒石酸铵、碳酸铵、柠檬酸三铵中的一种或多种；所述硅溶胶中二氧化硅的粒径为40-80nm，所述硅溶胶的pH值在8-11之间，所述硅溶胶的粘度为1.4-2.1mPa·s，分散度为1-1.02；所述表面活性剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚、聚乙二醇中的一种或多种。

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