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龙图腾网恭喜陕西科技大学申请的专利Si纳米线阵列-4H-SiC纳米线阵列、及其制备方法和在紫外光电探测器中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863479B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211505190.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权Si纳米线阵列-4H-SiC纳米线阵列、及其制备方法和在紫外光电探测器中的应用是由丁利苹;曾佳豪;尉国栋;苏莹;娄瑞;唐妍;郭一锦;郭紫傲设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本Si纳米线阵列-4H-SiC纳米线阵列、及其制备方法和在紫外光电探测器中的应用在说明书摘要公布了：本发明属于光电技术领域，具体来说是Si纳米线阵列‑4H‑SiC纳米线阵列、及其制备方法和在紫外光电探测器中的应用，紫外光电探测器由下至上分别为金属电极、单晶Si基底、Si纳米线阵列、4H‑SiC纳米线阵列、金属电极，紫外光电探测器的制备包括以下步骤：1碳化硅与硅单晶片预处理；2碳化硅纳米线阵列的生长与转移；3硅纳米线阵列的生长；4硅纳米线阵列与碳化硅纳米线阵列的焊接制备紫外光电探测器；本发明的紫外光电探测器制备方法简单，成本低廉，通过Si‑4H‑SiC纳米线阵列形成的pn结结构具备较高的响应度，提升了光利用率，可大幅增加紫外光电探测器的探测性能。

本发明授权Si纳米线阵列-4H-SiC纳米线阵列、及其制备方法和在紫外光电探测器中的应用在权利要求书中公布了：1.Si纳米线阵列-4H-SiC纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1样品预处理：将n型4H-SiC单晶片和p型单晶硅片分别进行表面清洗处理，得到处理4H-SiC单晶片和处理单晶硅片；2制备4H-SiC纳米线阵列：于电解液中对处理4H-SiC单晶片进行阳极氧化，以生长4H-SiC纳米线阵列，随后通入20-60s的反向直流电压，再通过机械剥离，得到4H-SiC纳米线阵列；3制备Si纳米线阵列：将处理单晶硅片表面沉积金属纳米颗粒，随后于密封环境下进行刻蚀生长，再进行表面金属离子去除操作，得到Si纳米线阵列；4Si纳米线阵列-4H-SiC纳米线阵列的制备：将步骤2的4H-SiC纳米线阵列转移到步骤3的Si纳米线阵列上，于温度为400-500℃下，垂直方向上施加50-100N应力，自然冷却至室温，得到Si纳米线阵列-4H-SiC纳米线阵列。

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