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龙图腾网恭喜西安邮电大学申请的专利一种基于硅基的可调控双栅隧穿场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498031B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211222502.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种基于硅基的可调控双栅隧穿场效应晶体管是由陈庆;孙榕;刘含笑;杨露露;苗瑞霞;贺炜;李建伟设计研发完成，并于2022-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于硅基的可调控双栅隧穿场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及双栅隧穿场效应晶体管，具体涉及一种基于硅基的可调控双栅隧穿场效应晶体管，用于解决现有隧穿场效应晶体管无法在增强开态电流的同时，避免双极电流增加的不足之处。该基于硅基的可调控双栅隧穿场效应晶体管包括第一沟道区、第二沟道区、源区、漏区、栅氧化层、辅助隧穿势垒层；其中栅氧化层包括靠近漏区的第一栅氧化层、靠近源区的第二栅氧化层，第一栅氧化层的介电常数相对较低，以增加反向隧穿势垒宽度来降低双极效应；本发明可以通过减少第二栅氧化层宽度来提升器件的开态电流、增加第一栅氧化层宽度抑制双极电流，从而解决了传统的TFET开态电流低、双极效应明显、不能很好地满足TFET器件快速发展需求的缺点。

本发明授权一种基于硅基的可调控双栅隧穿场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种基于硅基的可调控双栅隧穿场效应晶体管，包括沟道区1、源区2、漏区3、栅氧化层4，其特征在于：还包括辅助隧穿势垒层5；所述沟道区1包括第一沟道区11、第二沟道区12；所述漏区3、第一沟道区11、第二沟道区12、辅助隧穿势垒层5、源区2由上至下依次设置；所述源区2为P型掺杂或为N型掺杂，漏区3掺杂类型与源区2相反；所述第一沟道区11宽度小于第二沟道区12宽度；所述栅氧化层4包括对称设置在第一沟道区11两侧的第一栅氧化层41，以及对称设置在第二沟道区12及辅助隧穿势垒层5两侧的第二栅氧化层42；第一栅氧化层41在第一沟道区11两侧的宽度Lox1大于第二栅氧化层42在第二沟道区12及辅助隧穿势垒层5两侧的宽度Lox2，第二栅氧化层42的介电常数大于第一栅氧化层41的介电常数；所述辅助隧穿势垒层5厚度为2～5nm，宽度为5～60nm，辅助隧穿势垒层5宽度小于等于第二沟道区12宽度。

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