恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司兰叶获国家专利权
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龙图腾网恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利改善电极导电性能的发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411164B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211070852.9，技术领域涉及：H10H20/832；该发明授权改善电极导电性能的发光二极管及其制备方法是由兰叶;王江波;吴志浩;张威设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善电极导电性能的发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善电极导电性能的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：基板、外延层、第一电极和第二电极；所述外延层包括依次层叠于所述基板上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述外延层具有露出第一半导体层的凹槽，所述第一电极位于凹槽且与所述第一半导体层相连，所述第二电极位于所述第二半导体层的表面；所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括金层和位于所述金层内的纳米铜线。本公开实施例能减少制作电极时金的使用量，降低发光二极管的制作成本。
本发明授权改善电极导电性能的发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：基板10、外延层20、第一电极31和第二电极32；所述外延层20包括依次层叠于所述基板10上的第一半导体层21、多量子阱层22和第二半导体层23，所述外延层20具有露出第一半导体层21的凹槽24，所述第一电极31位于凹槽24且与所述第一半导体层21相连，所述第二电极32位于所述第二半导体层23的表面；所述第一电极31和所述第二电极32中的至少一个包括金层320和位于所述金层320内的多个纳米铜线330。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京东方华灿光电(浙江)有限公司，其通讯地址为：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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