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龙图腾网恭喜隆基绿能科技股份有限公司申请的专利背接触太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513307B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211053775.6，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权背接触太阳能电池及其制备方法是由张东威;吴帅;李云朋;叶枫;方亮;徐希翔设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了背接触太阳能电池及其制备方法，背接触太阳能电池包括：半导体基底，所述半导体基底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括多个第一区域、第二区域和交错叠置区域；遂穿氧化层和P型掺杂晶硅层；第一本征非晶硅层和N型掺杂非晶硅层；隔离结构，所述隔离结构包括隔离层和隔离槽。本发明通过将不同温度选择性钝化接触技术结合到IBC结构得到了一种杂化的背接触电池技术，进而解决了HBC结构n区工艺窗口窄而导致的容易伤害n区的问题以及传统HBC电池制造过程成本高和制备工艺复杂的问题，降低了工艺难度和制造成本。

本发明授权背接触太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括第一区域、第二区域和交错叠置区域，所述交错叠置区域在所述第一区域和所述第二区域之间，所述第一区域与所述半导体基底的沿宽度方向的中心线之间的距离大于所述第二区域与所述半导体基底的沿宽度方向的中心线之间的距离，所述第一区域和所述交错叠置区域为抛光面，所述抛光面包括方块状结构，所述第二区域为绒面，所述第二区域与所述交错叠置区域的交界面呈斜面交接；第一隧穿氧化层和第一P型掺杂晶硅层，所述第一隧穿氧化层在所述第一区域上，所述第一P型掺杂晶硅层在所述第一隧穿氧化层的远离所述半导体基底的表面上；第一子本征非晶硅层和第一N型掺杂非晶硅层，所述第一P型掺杂晶硅层与所述第一N型掺杂非晶硅层的导电类型相反，所述第一子本征非晶硅层在所述第二区域上，所述第一N型掺杂非晶硅层在所述第一子本征非晶硅层的远离所述半导体基底的表面上；交错叠置层，所述交错叠置层包括依次在所述交错叠置区域的第二隧穿氧化层、第二P型掺杂晶硅层、第二子本征非晶硅层和第二N型掺杂非晶硅层，所述第二P型掺杂晶硅层与所述第二N型掺杂非晶硅层的导电类型相反；隔离结构，所述隔离结构包括隔离层和隔离槽，所述隔离层在所述第二子本征非晶硅层与所述第二P型掺杂晶硅层之间，所述隔离槽贯穿所述第二N型掺杂非晶硅层和所述第二子本征非晶硅层；所述第一隧穿氧化层和所述第二隧穿氧化层的厚度均为1.2~1.8nm。

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