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龙图腾网恭喜隆基绿能科技股份有限公司申请的专利背接触太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513309B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211062923.0，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权背接触太阳能电池及其制备方法是由吴帅;张东威;杨建超;李云朋;叶枫;方亮设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了背接触太阳能电池及其制备方法，背接触太阳能电池包括：半导体基底，所述半导体基底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括多个非凹槽区域和多个凹槽区域，所述非凹槽区域和所述凹槽区域交替排列在所述第一表面；遂穿氧化层和N型掺杂晶硅层；第一本征非晶硅层和P型掺杂非晶硅层；隔离结构，所述隔离结构包括隔离层和隔离槽。本发明既增大了背接触太阳能电池的制备工艺窗口，降低了工艺难度，又提高了P区的表面钝化效果，使太阳能电池的性能能达到与现有的HBC电池结构相当的效果。

本发明授权背接触太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括多个凹槽区域和多个非凹槽区域，所述非凹槽区域和所述凹槽区域交替排列在所述第一表面，所述非凹槽区域为抛光面，所述凹槽区域为绒面，所述抛光面包括方块状结构，所述凹槽区域与所述非凹槽区域的交界面呈斜面交接；隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层，所述隧穿氧化层在所述非凹槽区域上，所述N型掺杂多晶硅层在所述隧穿氧化层的远离所述半导体基底的表面上；第一本征非晶硅层和P型掺杂非晶硅层，所述N型掺杂多晶硅层与所述P型掺杂非晶硅层的导电类型相反，所述第一本征非晶硅层在所述凹槽区域上，并延伸在所述N型掺杂多晶硅层的远离所述隧穿氧化层的部分表面上，所述P型掺杂非晶硅层在所述第一本征非晶硅层的远离所述半导体基底的表面上，形成所述第一本征非晶硅层和所述P型掺杂非晶硅层与所述隧穿氧化层和所述N型掺杂多晶硅层的交错叠置区域；隔离结构，所述隔离结构包括隔离层和隔离槽，所述隔离层在所述交错叠置区域中的所述第一本征非晶硅层与所述N型掺杂多晶硅层之间，所述隔离槽贯穿所述交错叠置区域中的所述P型掺杂非晶硅层和所述第一本征非晶硅层。

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