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龙图腾网恭喜环球晶圆股份有限公司申请的专利碳化硅晶片及其研磨方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115519467B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210382005.X，技术领域涉及：B24B37/00；该发明授权碳化硅晶片及其研磨方法是由邱锦桢设计研发完成，并于2022-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅晶片及其研磨方法在说明书摘要公布了：本发明描述了一种研磨碳化硅晶片以改善其几何曲率的方法。首先，将单晶晶体切成几个晶片，其中每个晶片都具有硅面，即第一表面。相反的另一面是碳面，称为第二表面。然后，将晶片的硅面朝下，并置于研磨载台上以执行第一次研磨。要强调的是，在晶片和研磨载台之间存在支撑承载件。承载件可以是凹形或凸形框架。研磨碳面后，取下晶片，脱除承载件，晶片将会在碳面上出现凸形或凹形。后来，晶片被上下翻转，碳面朝下，放置在一平坦的载台上。最后，将硅面打磨，这是第二次研磨。如此，使用本发明支撑承载件，可以改善晶片的几何曲率。

本发明授权碳化硅晶片及其研磨方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶片的研磨方法，其特征在于，包括：将经过晶体成长工艺所得到的晶碇进行切割以得到碳化硅晶片，其中所述碳化硅晶片包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；对所述碳化硅晶片进行研磨抛光工艺后，量测所述碳化硅晶片的弯曲度；形成具有凹面或是凸面的承载件，其中所述承载件的所述凹面具有20μm至60μm的内凹深度，或是所述承载件的所述凸面具有20μm至60μm的凸出高度，且所述承载件的所述凹面具有的所述内凹深度或是所述凸面具有的所述凸出高度是根据所述弯曲度而进行设定；将所述碳化硅晶片放置在研磨载台上进行研磨工艺，以使具有所述凹面或是所述凸面的所述承载件设置在所述研磨载台与所述碳化硅晶片之间，且所述研磨工艺包括：将所述碳化硅晶片放置在所述承载件的所述凹面或是凸面上，使所述第一表面与所述凹面或是凸面接触，并进行研磨以移除所述碳化硅晶片的所述第二表面的部份；以及移除所述承载件，并将所述碳化硅晶片反转放置在所述研磨载台上，并进行研磨以移除所述碳化硅晶片的所述第一表面的部份。

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