恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司兰叶获国家专利权
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龙图腾网恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利三基色发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210248488.4，技术领域涉及：H10H20/813；该发明授权三基色发光二极管芯片及其制备方法是由兰叶;王江波;朱广敏设计研发完成，并于2022-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本三基色发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种三基色发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该三基色发光二极管芯片包括依次层叠的基板、外延结构和绝缘结构，所述外延结构包括依次层叠于所述基板上的第一外延层、第二外延层和第三外延层，所述绝缘结构位于所述第三外延层远离所述基板的表面；所述绝缘结构的表面具有多个出光孔，所述多个出光孔包括露出所述第一外延层的第一出光孔、露出所述第二外延层的第二出光孔，露出所述第三外延层的第三出光孔。本公开能提升三基色发光二极管芯片在混色时的均匀性，改善混光效果。
本发明授权三基色发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三基色发光二极管芯片，其特征在于，所述三基色发光二极管芯片包括依次层叠的基板10、外延结构和绝缘结构61，所述外延结构包括依次层叠于所述基板10上的第一外延层21、第二外延层22和第三外延层23，所述绝缘结构61位于所述第三外延层23远离所述基板10的表面；所述绝缘结构61的表面具有多个出光孔，所述多个出光孔包括露出所述第一外延层21的第一出光孔51、露出所述第二外延层22的第二出光孔52，露出所述第三外延层23的第三出光孔53，所述多个出光孔分布为多个孔组50，所述多个孔组50阵列分布，每个所述孔组50均包括至少一个所述第一出光孔51、至少一个所述第二出光孔52和至少一个所述第三出光孔53；所述第一外延层21用于发红光，同一所述孔组50中，露出用于发红光的外延层的出光孔的横截面积最大。
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