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龙图腾网恭喜美新半导体(天津)有限公司申请的专利一种微机电系统结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114148984B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111512073.5，技术领域涉及：B81B3/00；该发明授权一种微机电系统结构及其制作方法是由郭亚;刘尧青;储莉玲;金羊华设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微机电系统结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种微机电系统结构及其制作方法，所述微机电系统结构包括：第一半导体圆片，其设置有第一空腔、CMOS电路和防护层，第一空腔设置于第一半导体圆片的正面，CMOS电路设置于第一半导体圆片内且位于第一空腔的下方，防护层位于第一空腔的底部且位于所述CMOS电路的上方；第二半导体圆片，其为传感器的微机电系统单元，其包括固定结构、可移动结构和沟槽，第二半导体圆片与第一半导体圆片的正面相键合，第一空腔与可移动结构相对；第三半导体圆片，其与第二半导体圆片的背面相键合，第三半导体圆片的正面与第二半导体圆片的可移动结构的相对位置处设置有第二空腔。与现有技术相比，本发明能够有效防止或减少PID的产生，以对CMOS电路进行保护。

本发明授权一种微机电系统结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种微机电系统结构，其特征在于，其包括：第一半导体圆片1，其设置有第一空腔102、CMOS电路101和防护层2，所述第一空腔102设置于所述第一半导体圆片1的正面，所述CMOS电路101设置于所述第一半导体圆片1内且位于所述第一空腔102的下方，所述防护层2位于所述第一空腔102的底部且位于所述CMOS电路101的上方；第二半导体圆片3，其为传感器的微机电系统单元，其包括位于芯片边缘的固定结构301、位于芯片中间的可移动结构302，以及位于所述可移动结构302区域内且贯穿所述芯片的沟槽303，所述第二半导体圆片3与所述第一半导体圆片1的正面相键合，所述第二半导体圆片3的正面与第一半导体圆片1的正面相对，且所述第一半导体圆片1的正面与所述第二半导体圆片3的可移动结构302的相对位置处设置有所述第一空腔102；第三半导体圆片4，其与所述第二半导体圆片3的背面相键合，所述第三半导体圆片4的正面与所述第二半导体圆片3的背面相对，且所述第三半导体圆片4的正面与所述第二半导体圆片3的可移动结构302的相对位置处设置有第二空腔401，其中，所述第一空腔102和第二空腔401相对以形成腔体A，所述第二半导体圆片3的可移动结构302悬置于所述腔体A内。

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