买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜深圳真茂佳半导体有限公司申请的专利一种SiC MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764514B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111152374.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种SiC MOSFET器件及其制备方法是由任炜强;春山正光;谢文华;杨正友设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及碳化硅功率器领域，公开了一种SiCMOSFET器件及其制备方法，SiCMOSFET器件包括衬底、外延底层、基层、源极层、栅极、栅介质层、沟道段、沟道长度减缩段、浮空段、隔离层、源极和漏极；SiCMOSFET器件基于如下方法制备，包括：在衬底的第一表面上形成外延底层和基层，在基层上形成源极层和基极结，在沟槽内形成栅极、栅介质层、沟道段、沟道长度减缩段和浮空段，在栅极层上形成隔离层，在隔离层和源极层上形成源极，在衬底第二表面上形成漏极。本申请的栅介质层缺陷密度低，击穿电压高，可靠性高。

本发明授权一种SiC MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET器件，其特征在于，包括：衬底10，具有第一表面11和相对的第二表面12；设于所述衬底10第一表面11上的外延层，所述外延层包括外延底层20、位于所述外延底层20上的基层30、以及位于所述基层30上的源极层40，所述外延层开设有沟槽61，所述沟槽61贯穿所述源极层40与所述基层30并延伸至所述外延底层20，所述沟槽61具有位于所述外延底层20中的槽底，所述沟槽61的上部开口宽度大于其下部槽底的宽度，所述沟槽61的两侧斜侧壁与所述第一表面11的槽侧夹角介于50°～70°，用于降低沟槽内栅介质层的缺陷密度，提高沟槽的载流子迁移率，降低导通电阻；所述外延层顺从所述沟槽61的槽内形状形成有重定义沟道层，所述重定义沟道层包括位于两侧斜侧壁上部的沟道段62、位于其中一侧或两侧斜侧壁下部的沟道长度减缩段63、以及位于所述槽底的浮空段64，用于重新定义沟道长度，以降低栅介质层的缺陷密度；覆盖所述重定义沟道层的栅介质层65，包括第一介质层651和第二介质层652，其中，所述第一介质层651设于所述沟槽61的槽底，所述第二介质层652覆盖所述沟槽61的两侧斜侧壁且一体相连在所述第一介质层651上，使所述沟槽61的槽底上的介质厚度大于两侧斜侧壁的介质厚度；设于所述沟槽61内的栅极60，所述栅极60的底部受控在所述沟道长度减缩段63的高度范围中；所述外延层还包括基极结50，所述基极结50位于所述基层30上的所述源极层40中，使所述源极层40在所述外延层显露表面上为图案化，所述基极结50不延伸到所述沟槽61的槽开口；所述衬底10、所述外延底层20、所述源极层40和所述沟道长度减缩段63的导电类型为第一导电类型，所述基层30、所述基极结50、所述栅极60、所述沟道段62和所述浮空段64的导电类型为第二导电类型；所述沟道长度减缩段63的上端延伸到所述基层30的高度范围中。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳真茂佳半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区西丽街道沙河西路健兴科技大厦C座310；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。