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龙图腾网恭喜北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274445B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110483658.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由任烨;卜伟海;武咏琴设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成沟道结构，沟道结构包括一个或多个堆叠的沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层，牺牲层包括两层第一牺牲层和夹于两层第一牺牲层之间的第二牺牲层，沿沟道结构的延伸方向上，沟道结构包括沟道区，其中，第二牺牲层的耐刻蚀度小于第一牺牲层的耐刻蚀度；刻蚀去除沟道区的牺牲层；刻蚀去除沟道区的牺牲层后，在沟道区中，形成栅极结构，包括环绕覆盖沟道层的栅介质层，以及位于栅介质层上的栅电极层。刻蚀去除牺牲层的过程中，第二牺牲层易于被先去除，露出第一牺牲层在水平方向的表面，增大第一牺牲层与刻蚀介质的接触面积，有利于加快第一牺牲层的被刻蚀速率。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成沟道结构，所述沟道结构包括一个或多个堆叠的沟道叠层，所述沟道叠层包括牺牲层和位于所述牺牲层上的沟道层，所述牺牲层包括两层第一牺牲层和夹于两层所述第一牺牲层之间的第二牺牲层，沿所述沟道结构的延伸方向上，所述沟道结构包括沟道区，其中，所述第二牺牲层的耐刻蚀度小于所述第一牺牲层的耐刻蚀度；刻蚀去除所述沟道区的牺牲层；刻蚀去除所述沟道区的牺牲层的步骤中，在同一工序中利用同一刻蚀介质刻蚀所述第二牺牲层和第一牺牲层，以依次去除所述第二牺牲层和第一牺牲层；刻蚀去除所述沟道区的牺牲层后，在所述沟道区中，形成栅极结构，所述栅极结构包括环绕覆盖所述沟道层的栅介质层，以及位于所述栅介质层上的栅电极层。

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