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龙图腾网恭喜意法半导体有限公司申请的专利电荷耦合场效应晶体管嵌入的单片电荷耦合场效应整流器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113555357B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110441871.7，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权电荷耦合场效应晶体管嵌入的单片电荷耦合场效应整流器是由李欣蓓;阮文征;M·G·卡斯托里纳设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本电荷耦合场效应晶体管嵌入的单片电荷耦合场效应整流器在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及电荷耦合场效应晶体管嵌入的单片电荷耦合场效应整流器。集成电路包括MOSFET器件和单片二极管器件，其中单片二极管器件与MOSFET器件的本体二极管并联电连接。单片二极管器件被配置，使得单片二极管器件的正向压降VfD2小于MOSFET器件的本体二极管的正向压降VfD1。通过控制栅极氧化物厚度、沟道长度和本体掺杂浓度水平，正向压降VfD2是工艺可调谐的。正向压降VfD2的可调谐性有利地允许根据开关速度和效率的要求的集成电路的设计以适合广泛的应用。

本发明授权电荷耦合场效应晶体管嵌入的单片电荷耦合场效应整流器在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括：半导体层，掺杂有第一类型的掺杂剂；MOSFET器件，包括：第一沟槽，在所述半导体层中；所述半导体层的第一区域，在所述半导体层的顶部表面处掺杂有所述第一类型的掺杂剂；所述半导体层的第三区域，掺杂有与所述第一类型相对的第二类型的掺杂剂，并且被定位在所述第一区域与由所述半导体层形成的第一漂移区域之间；以及第一栅极，位于所述第一沟槽内，并且通过具有第一厚度的第一栅极氧化物层与所述第一区域以及所述第三区域分离；二极管器件，包括：第二沟槽，在所述半导体层中；所述半导体层的第二区域，在所述半导体层的顶部表面处掺杂有所述第一类型的掺杂剂，其中所述第一区域和所述第二区域彼此分离；第四区域，掺杂有所述第二类型的掺杂剂，并且被定位在所述第二区域与由所述半导体层形成的第二漂移区域之间；以及第二栅极，位于所述第二沟槽内，并且通过具有比所述第一厚度小的第二厚度的第二栅极氧化物层与所述第二区域以及所述第四区域分离；其中所述二极管器件与所述MOSFET器件的本体二极管并联电连接。

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