恭喜格芯(美国)集成电路科技有限公司顾四朋获国家专利权
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龙图腾网恭喜格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利源极/漏极区具有外延半导体材料区段的晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451308B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110207254.0，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权源极/漏极区具有外延半导体材料区段的晶体管是由顾四朋;H·贾德森;王海艇;I·班贡设计研发完成，并于2021-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本源极/漏极区具有外延半导体材料区段的晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及源极漏极区具有外延半导体材料区段的晶体管，揭示场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的结构的方法。第一及第二栅极结构延伸于半导体本体上方。源极漏极区横向位于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。该源极漏极区包括具有第一区段、第二区段以及第三区段的半导体层。该半导体本体的第一部分位于该半导体层的该第一区段与该半导体层的该第二区段之间。该半导体本体的第二部分位于该半导体层的该第二区段与该半导体层的该第三区段之间。
本发明授权源极/漏极区具有外延半导体材料区段的晶体管在权利要求书中公布了：1.一种用于场效应晶体管的结构，该结构包括：半导体衬底；半导体鳍片，从该半导体衬底突出，该半导体鳍片包括上方区段及位于该上方区段与该半导体衬底之间的下方区段，且该半导体鳍片的该上方区段包括第一腔体、第二腔体及第三腔体；第一栅极结构，延伸于该半导体鳍片上方；第二栅极结构，延伸于该半导体鳍片上方；以及第一源极漏极区，横向位于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间，该第一源极漏极区包括具有位于该第一腔体中的第一区段、位于该第二腔体中的第二区段以及位于该第三腔体中的第三区段的第一半导体层，其中，该半导体鳍片包括第一部分及第二部分，该半导体鳍片的该第一部分位于该第一半导体层的该第一区段与该第一半导体层的该第二区段之间，且该半导体鳍片的该第二部分位于该第一半导体层的该第二区段与该第一半导体层的该第三区段之间。
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