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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种用于控制晶片边缘关键尺寸的系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551204B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011341064.X，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种用于控制晶片边缘关键尺寸的系统及方法是由李相龙;周娜;李琳;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2020-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于控制晶片边缘关键尺寸的系统及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于控制晶片边缘关键尺寸的系统及方法，属于半导体制造技术领域，解决了现有技术中无法有效控制晶片边缘的关键尺寸，导致晶片边缘的关键尺寸不均匀，无法得到期望的晶片轮廓的问题。该用于控制晶片边缘关键尺寸的系统包括顶盘、内电极、外电极、用于放置晶片的静电卡盘、用于保护晶片边缘的边缘环、第一进气系统和第二进气系统；第一进气系统包括贯通顶盘和外电极的第一气孔，第一气孔用于向晶片的边缘供气；第二进气系统包括贯通顶盘和内电极的第二气孔，第二气孔用于向晶片的中心供气。本发明实现了对晶片特定点的末端边缘关键尺寸的精密控制。

本发明授权一种用于控制晶片边缘关键尺寸的系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种用于控制晶片边缘关键尺寸的系统，其特征在于，包括顶盘、内电极、外电极、用于放置晶片的静电卡盘、用于保护晶片边缘的边缘环、第一进气系统和第二进气系统；所述边缘环靠近晶片边缘的一端的上部设有凹部，所述凹部的侧面向远离晶片边缘的方向倾斜设置，晶片边缘延伸进入所述凹部，并与所述凹部的侧面留有间隙；所述第一进气系统为：贯通所述顶盘和所述外电极的第一气孔、与所述第一气孔的数量相对应的多个控制阀以及第一总控阀；所述第一气孔用于为晶片边缘提供补偿气体，所述第一总控阀用于控制所述第一进气系统的开闭，每个所述控制阀均与一个所述第一气孔连接；所述第二进气系统包括贯通所述顶盘和所述内电极的第二气孔和第二总控阀，所述第二气孔用于向晶片的中心供气，所述第二总控阀用于控制所述第二进气系统的开闭；所述第一气孔在所述外电极内偏向晶片的中心设置，所述顶盘和所述外电极所形成的接触面与所述外电极内的第一气孔之间所形成的夹角α小于60°；所述用于控制晶片边缘关键尺寸的系统包括α的数值不同的多个上进气盘；还包括控制系统，以及与所述控制系统连接的压力监测装置；所述压力监测装置位于所述第一总控阀、所述第二总控阀和所述控制系统之间；还包括与所述第一进气系统并联的第一管路系统，所述第一管路系统用于将第一进气系统抽真空；所述第一管路系统上设有第三总控阀；还包括与所述第二进气系统并联的第二管路系统，所述第二管路系统用于将第二进气系统抽真空；所述第二管路系统上设有第四总控阀；所述第一管路系统和所述第二管路系统用于防止对腔体抽真空时所述压力监测装置和所述控制系统也被抽真空；所述第一气孔的直径小于等于1mm；所述第一气孔的数量为多个，所述多个第一气孔沿圆周方向均匀分布；所述第一气孔的数量为12个。

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