恭喜应用材料公司任河获国家专利权
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龙图腾网恭喜应用材料公司申请的专利用于减除式自对准的方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114981934B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080092524.1，技术领域涉及：H01L21/3205；该发明授权用于减除式自对准的方法和装置是由任河;姜浩;梅裕尔·奈克;候文婷;雷建新;龚晨;曹勇设计研发完成，并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于减除式自对准的方法和装置在说明书摘要公布了：描述一种形成用于半导体装置的互连结构的方法。方法包含通过物理气相沉积在基板上沉积蚀刻终止层，随后在蚀刻终止层上原位沉积金属层。原位沉积的步骤包含使等离子体处理气体流动到腔室中，和将等离子体处理气体激发成等离子体以在基板上的蚀刻终止层上沉积金属层。基板在沉积工艺期间持续在真空下，且不暴露至周围空气。
本发明授权用于减除式自对准的方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种形成互连的方法，所述方法包含以下步骤：在基板上沉积蚀刻终止层，其中沉积的步骤包含在从200℃至300℃的范围中的温度下的物理气相沉积，所述蚀刻终止层包含以下项中的一者或多者：钛Ti、氮化钛TiN、钽Ta、氮化钽TaN、钼Mo、钨W和钌Ru；和在所述蚀刻终止层上原位沉积金属层，其中所述原位沉积的步骤包含以下步骤：在从200℃至450℃的范围中的温度下使等离子体处理气体流动至处理腔室中，和将所述等离子体处理气体激发成等离子体以在所述基板上的所述蚀刻终止层上沉积所述金属层，所述金属层包含以下项中的一者或多者：钌Ru、钼Mo、钨W、铜Cu、钴Co、铱Ir、金属硅化物和金属合金，其中所述基板持续在真空下，且不暴露至周围空气。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人应用材料公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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