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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司申请的专利发光器件及其制备方法、发光基板和发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114651341B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080002289.4，技术领域涉及：H10K85/00；该发明授权发光器件及其制备方法、发光基板和发光装置是由张晓晋;刘兴华;杨绘耘;李昌浩设计研发完成，并于2020-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光器件及其制备方法、发光基板和发光装置在说明书摘要公布了：一种发光器件，包括：层叠设置的第一发光层和第二发光层，位于所述第一发光层远离所述第二发光层一侧的空穴传输层；以及，位于所述第二发光层远离所述第一发光层一侧的电子传输层；所述第一发光层的材料包括第一主体材料A和第一TADF敏化剂B，所述第二发光层的材料包括第二主体材料D、第二TADF敏化剂E和第二荧光发光材料F；所述第一发光层的材料和所述第二发光层的材料对空穴的传输速率均大于所述第一发光层的材料和所述第二发光层的材料对电子的传输速率，且所述第一TADF敏化剂B的归一化电致发射光谱与所述第二荧光发光材料F的归一化吸收光谱之间具有第一交叠区域。

本发明授权发光器件及其制备方法、发光基板和发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光器件，包括：层叠设置的第一发光层和第二发光层，所述第一发光层的材料包括第一主体材料A和第一TADF敏化剂B，所述第二发光层的材料包括第二主体材料D、第二TADF敏化剂E和第二荧光发光材料F；位于所述第一发光层远离所述第二发光层一侧的空穴传输层；以及，位于所述第二发光层远离所述第一发光层一侧的电子传输层；所述第一发光层的材料和所述第二发光层的材料对空穴的传输速率均大于所述第一发光层的材料和所述第二发光层的材料对电子的传输速率，且所述第一TADF敏化剂B的归一化电致发射光谱与所述第二荧光发光材料F的归一化吸收光谱之间具有第一交叠区域；所述第二主体材料D和所述第二TADF敏化剂E之间满足如下关系：｜｜HOMO｜D-｜LUMO｜E-S1E｜≤0.2eV；｜HOMO｜D-｜LUMO｜E-T1E｜≤0.2eV；所述第一主体材料A和所述第二TADF敏化剂E之间满足如下关系：｜｜HOMO｜A-｜LUMO｜E-S1E｜≤0.2eV；｜｜HOMO｜A-｜LUMO｜E-T1E｜≤0.2eV。

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