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龙图腾网恭喜山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种可变图形发光二极管及其制备方法和反射式瞄准镜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335282B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011071966.6，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种可变图形发光二极管及其制备方法和反射式瞄准镜是由吴向龙;闫宝华;彭璐;王成新;徐现刚设计研发完成，并于2020-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可变图形发光二极管及其制备方法和反射式瞄准镜在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可变图形发光二极管及其制备方法和反射式瞄准镜，所述可变图形发光二极管是在外延片上表面有透明导电层，所述透明导电层上设置有若干个发光区，透明导电层之外是刻蚀区，每个所述发光区上对应设置有P面电极，P面电极通过贯穿外延片的通孔延伸到N面。本发明还提供所述发光二极管芯片的制备方法和应用。所述反射式瞄准镜包括以本发明的可变图形的发光二极管为光源，不需要分划板。提高了光源利用率和LED可靠性。

本发明授权一种可变图形发光二极管及其制备方法和反射式瞄准镜在权利要求书中公布了：1.一种可变图形的发光二极管，包括外延片，所述外延片上表面蒸镀有透明导电层，所述透明导电层上设有若干个发光区，透明导电层之外是刻蚀区，其特征在于，每个所述发光区上对应设置有P面电极，相邻P面电极之间绝缘隔开，所述P面电极通过贯穿的通孔延伸到外延片N面；所述刻蚀区表面沉积有绝缘层，所述外延片N面上蒸镀有N面电极；所述发光区的数量为m个，所述P面电极的数量为n个，所述二极管可产生的发光图形为q种，则：m=n，q=2n-1；m=2或3；当所述发光区的数量为2个时，所述发光区包括发光区A、发光区B，所述P面电极包括P面电极A、P面电极B，P面电极A对应发光区A，P面电极B对应发光区B；所述P面电极A控制发光区A发光，所述P面电极B控制发光区B发光；所述发光区A的发光图形为圆点，所述发光区B的发光图形为圆环形，所述圆点与圆环为同心圆关系，圆点位于圆环内；或者，当所述发光区的数量为3个时，所述发光区包括发光区A、发光区B、发光区C，相应地所述P面电极包括P面电极A、P面电极B、P面电极C；P面电极A对应发光区A，P面电极B对应发光区B、P面电极C对应发光区C；所述发光区A的发光图形为圆点，所述发光区B的发光图形为圆环形，所述发光区C的发光图形为圆环形或十字形，所述圆点位于圆环的圆心处，所述两个圆环为同心圆关系，且两个圆环不重叠；所述十字的交叉点位于圆环的圆心处。

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