东芝存储器株式会社佐贯朋也获国家专利权
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龙图腾网获悉东芝存储器株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111640762B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910672567.6，技术领域涉及：H10B43/20；该发明授权半导体装置及其制造方法是由佐贯朋也设计研发完成，并于2019-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：实施方式提供一种能够有效地布局配线的半导体装置及其制造方法。根据其中一种实施方式，半导体装置具备：第1基板；以及逻辑电路，设置于所述第1基板上。所述装置还具备：存储单元，设置于所述逻辑电路的上方；以及第2基板，设置于所述存储单元的上方。所述装置还具备接合垫，所述接合垫设置于所述第2基板的上方，电连接于所述逻辑电路。所述装置还具备配线，所述配线设置于所述第2基板的上方，电连接于所述存储单元，包含数据信号线、控制电压线、及电源线中的至少1个。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 电路芯片，具有第1基板及设置于所述第1基板上的逻辑电路； 阵列芯片，具有设置于所述电路芯片的上方的存储单元及设置于所述存储单元的上方的第2基板，且贴合于所述电路芯片； 多个金属焊垫，设置于所述电路芯片与所述阵列芯片的贴合面，且将所述逻辑电路与所述存储单元电连接； 接合垫，设置于所述第2基板的上方，经由所述多个金属焊垫中的一部分电连接于所述逻辑电路；以及 配线，设置于所述第2基板的上方，经由所述多个金属焊垫中的一部分电连接于所述存储单元，包含数据信号线、控制电压线、及电源线中的至少1个。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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