恭喜株洲中车时代半导体有限公司朱利恒获国家专利权
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龙图腾网恭喜株洲中车时代半导体有限公司申请的专利一种逆导IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114122104B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010878410.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种逆导IGBT器件是由朱利恒;刘国友;肖强;穆纳夫·拉希莫;覃荣震;王梦洁设计研发完成，并于2020-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种逆导IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种逆导IGBT器件，包括IGBT器件主体，所述IGBT器件主体的N++发射区包括第一N+源区和第二N+源区，所述第一N+源区的右端与所述第二N+源区的左端连接，所述N++发射区的横截面中所述第一N+源区的后端位于所述第二N+源区前端与后端之间，所述第二N+源区的前端位于所述第二N+源区前端与后端之间。通过将现有的完整的矩形N++发射区，变为交错相交的第一N+源区和第二N+源区，消除了部分N++发射区的存在，当器件工作在FRD模式时，阳极短路效应减少，从而避免沟道短路效应的影响，提高了器件的性能。
本发明授权一种逆导IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种逆导IGBT器件，其特征在于，包括IGBT器件主体，所述IGBT器件主体的N++发射区包括第一N+源区和第二N+源区，所述第一N+源区的右端与所述第二N+源区的左端连接，所述N++发射区的横截面中所述第一N+源区的后端位于所述第二N+源区前端与后端之间，所述第二N+源区的前端位于所述第二N+源区前端与后端之间，所述第一N+源区的左右端间距与所述第二N+源区的左右端之间间距相等，所述第一N+源区的前后端与所述第二N+源区的前后端之间的间距相等，所述第一N+源区与所述第二N+源区的掺杂浓度相等。
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