恭喜芯合电子(上海)有限公司曹功勋获国家专利权
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龙图腾网恭喜芯合电子(上海)有限公司申请的专利功率MOS器件及工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451404B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010213223.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权功率MOS器件及工艺方法是由曹功勋;仵嘉;张敏设计研发完成，并于2020-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率MOS器件及工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率MOS器件，在外延层中包含有MOS器件的源区、漏区以及体注入区，外延层表面包含有由栅氧化层和多晶硅栅极组成的栅极结构，体注入区中还包含有重掺杂区用于将体注入区进行接触引出，所述MOS器件的源区中，还包含有氩离子注入形成的缺陷层。氩离子注入形成的缺陷层能降低MOS器件中寄生三极管的发射极的发射效率，进而进一步降低MOS器件寄生三极管开启风险，最终实现MOSFET的UIS能力及器件可靠性进一步提升。本发明还公开了所述MOS器件的工艺方法，仅在源区形成之后增加一步氩离子注入，工艺简单易于实施。
本发明授权功率MOS器件及工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种功率MOS器件，在具有第二导电类型的衬底上具有第二导电类型的外延层，在所述外延层中，包含有两个具有第一导电类型掺杂的第一掺杂区，所述两个第一掺杂区位于外延层表层，两者之间以第二导电类型的外延层隔离；所述第一导电类型的第一掺杂区中，还包含有第二导电类型的第二掺杂区，所述第二掺杂区分别位于两个第一掺杂区中；所述两个第一掺杂区之间的外延表面具有栅氧化层，所述栅氧化层上还覆盖有所述MOS器件的多晶硅栅极；所述栅氧化层与多晶硅栅极一起形成MOS器件的栅极结构，在外加电压下使位于栅极结构下方的沟道区反型从而使源漏区之间导通；其特征在于：所述第二导电类型的第二掺杂区中，还具有氩离子注入层，所述氩离子注入层为位于第二掺杂区中间的一水平薄层，其与第二掺杂区沟道区一侧的边界并不接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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