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龙图腾网恭喜北京易美新创科技有限公司申请的专利芯片封装器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111063786B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911271955.X，技术领域涉及：H10H20/857；该发明授权芯片封装器件是由刘国旭;申崇渝设计研发完成，并于2019-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片封装器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯片封装器件，包括：芯片、第一光敏介质层、第一金属层；所述第一光敏介质层位于所述芯片和所述第一金属层之间；所述第一金属层中靠近所述第一光敏介质层的表面设有第一金属连接部和第二金属连接部；所述第一光敏介质层设有第一通孔和第二通孔，所述第一金属连接部通过第一通孔和所述芯片电极中的正极连接，所述第二金属连接部通过所述第二通孔和所述芯片电极中的负极连接。芯片电极未通过锡膏、银浆等和基板连接，而是直接和金属层连接，芯片和金属层之间的空档区域设有光敏介质层，光敏介质层为绝缘体，从而降低了芯片电极短接的可能性，进而提高了芯片封装器件的稳定性、可靠性、安全性及使用寿命。

本发明授权芯片封装器件在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装器件，其特征在于，包括：芯片、第一光敏介质层、第一金属层；所述第一光敏介质层位于所述芯片和所述第一金属层之间；所述第一金属层中靠近所述第一光敏介质层的表面设有第一金属连接部和第二金属连接部；所述第一光敏介质层设有第一通孔和第二通孔，所述第一金属连接部通过第一通孔和所述芯片电极中的正极连接，所述第二金属连接部通过所述第二通孔和所述芯片电极中的负极连接；芯片封装器件还包括：至少一个第二光敏介质层和至少一个第二金属层，所述第二金属层和所述第二光敏介质层交替堆叠于所述第一金属层远离所述芯片的一侧，所述第一金属层与所述第二光敏介质层接触，所述第二光敏介质层位于两个所述第二金属层之间，各个所述第二金属层之间导通；所述第二光敏介质层开设第九通孔，所述第二金属层中靠近所述芯片的表面设有金属凸起；所述金属凸起位于所述第九通孔内；所述金属凸起底部和靠近所述金属凸起底部的第二金属层的连接；所述第一金属层和所述第二金属层设有对应所述芯片电极中正极和负极的金属焊盘；所述芯片电极中正极对应的金属焊盘和负极对应的金属焊盘位于不同的金属层。

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