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龙图腾网恭喜苏州锴威特半导体股份有限公司申请的专利一种控制LLC谐振的抗干扰半桥驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110649823B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911050483.5，技术领域涉及：H02M3/335；该发明授权一种控制LLC谐振的抗干扰半桥驱动电路是由谭在超;张胜;丁国华;罗寅设计研发完成，并于2019-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种控制LLC谐振的抗干扰半桥驱动电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种控制LLC谐振的抗干扰半桥驱动电路，包括脉冲产生器、第一和第二高压MOS管、第一至第三MOS管、第一和第二电阻、RS触发器、第一和第二稳压二极管，第三MOS管的源极引出作为电路的HS端，第二和第三MOS管栅极的共接端引出作为电路的HO端。将第一MOS管采用PMOS管，在HS端信号电平由低电平突变为高电平时，RS触发器的R端下冲信号将开启第一MOS管，将RS触发器的S端电平钳位在高电平，使得R端的下冲信号不会导致HO端误动作。同时引入第一和第二稳压管可很好地保护RS触发器R、S端的电路工作在安全电压范围。因此在本电路中引入第一MOS管及第一和第二稳压管后，可很好的抵制电路HS端电平突变引起的干扰，保证了半桥驱动电路稳定安全地工作。

本发明授权一种控制LLC谐振的抗干扰半桥驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种控制LLC谐振的抗干扰半桥驱动电路，包括脉冲产生器、第一高压MOS管、第二高压MOS管、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一电阻、第二电阻、RS触发器、第一稳压二极管和第二稳压二极管，脉冲产生器的输入端输入方波信号，脉冲产生器的输出端分别连接第一高压MOS管的栅极和第二高压MOS管的栅极，第一高压MOS管的源极和第二高压MOS管的源极接地，第一高压MOS管的漏极连接第一电阻的一端，第二高压MOS管的漏极连接第二电阻的一端，第一电阻的另一端和第二电阻的另一端引出作为半桥高边电路的HB端并与电源连接，第一MOS管的漏极接在第一高压MOS管的漏极和第一电阻之间，第一MOS管的栅极接在第二高压MOS管的漏极和第二电阻之间，第一MOS管的源极接在第一电阻和第二电阻之间，第一稳压二极管的正极接在第一高压MOS管的漏极和第一电阻之间，第二稳压二极管的正极接在第二高压MOS管的漏极和第二电阻之间，第一稳压二极管的负极和第二稳压二极管的负极均连接HB端，RS触发器的S端连接第一稳压二极管的正极，RS触发器的R端连接第二稳压二极管的正极，RS触发器的输出端连接输出预驱动电路的输入端，输出预驱动电路的输出端连接第二MOS管的栅极和第三MOS管的栅极，第二MOS管的漏极连接第三MOS管的漏极，第二MOS管的源极连接HB端，第三MOS管的源极引出作为半桥高边电路的HS端，第二MOS管和第三MOS管的漏极共接端引出作为半桥高边电路的HO端；所述第一高压MOS管和第二高压MOS管采用高压NMOS管，所述第一MOS管采用PMOS管，当HS端的信号电平由低电平信号突变为高电平信号时，RS触发器的R端的下冲信号将开启第一MOS管并将RS触发器的S端的电平钳位在高电平，使得RS触发器的R端的下冲信号不会导致HO端输出的信号误动作。

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